[发明专利]近场电磁波吸收膜有效
申请号: | 201710040228.7 | 申请日: | 2017-01-18 |
公开(公告)号: | CN107263936B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 加川清二 | 申请(专利权)人: | 加川清二 |
主分类号: | B32B3/24 | 分类号: | B32B3/24;B32B15/08;B32B33/00;H05K9/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 高颖 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 近场 电磁波 吸收 | ||
1.一种近场电磁波吸收膜,具有:塑料膜、和设置于该塑料膜的一面的单层或者多层的金属薄膜,该近场电磁波吸收膜的特征在于,
上述金属薄膜在整个面按交叉的两列具有直径100μm以下的圆形的激光束穿孔洞,并且还部分地具有能得到透视识别性的程度的大小的多个开口部,
各方向上的相邻激光束穿孔洞列的中心线间距离T为100~400μm,
在上述激光束穿孔洞形成后残留的金属薄膜部分由借助激光束穿孔洞列而被隔开的主要残留部和各列中相邻的激光束穿孔洞间的桥部构成,
上述桥部在50μm以下的范围内具有不同的宽度W,并且具有5~20μm的平均宽度Wav,
上述主要残留部由各列中的上述桥部包围,而且所有的上述主要残留部经由上述桥部连结。
2.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收膜,其特征在于,
上述激光束穿孔洞的直径为20~100μm。
3.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收膜,其特征在于,
上述桥部的宽度W为20μm以下。
4.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收膜,其特征在于,
形成于上述金属薄膜的上述开口部排列在至少两个方向上。
5.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收膜,其特征在于,
上述开口部的面积率为15~60%。
6.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收膜,其特征在于,
上述金属薄膜的厚度为10~300nm。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的近场电磁波吸收膜,其特征在于,
上述金属薄膜由从铝、铜、银、锡、镍、钴、铬以及它们的合金所构成的组中选择出的至少一种金属构成。
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