[发明专利]电子电路及用于操作电子电路的方法有效
申请号: | 201611177738.0 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106936302B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | J·努森;尼尔斯·霍格浩特·彼得森 | 申请(专利权)人: | 格兰富控股联合股份公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;李晔 |
地址: | 丹麦比耶*** | 国省代码: | 丹麦;DK |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子电路 用于 操作 方法 | ||
1.一种具有高侧DC电压电平、输入端和输出端的电子电路(1),所述电子电路(1)包括DC连接电容器(4)、用于将输入电流限制到预定电平的冲击保护电路(3),其中,所述冲击保护电路(3)连接在DC连接电容器(4)与所述输入端之间,所述冲击保护电路(3)包括充电电阻器元件(Rc)、与充电电阻器元件(Rc)并联连接的开关元件(9)、以及用于控制开关元件(9)的控制装置(7,8),其中,所述控制装置(7,8)适用于当输入电流降至预定电流水平之下时接通开关元件,其特征在于,所述控制装置(7,8)还包括触发控制元件(8),所述触发控制元件(8)适用于检测开关元件(9)两端的电压差并当检测到的电压差升至预定阈值电压之上时断开开关元件(9),其中所述控制装置(7,8)为包括电流监管电路(7)的控制电路。
2.根据权利要求1所述的电子电路(1),其中,所述冲击保护电路(3)适用于连接到DC连接电容器(4)的负电源线(6″)。
3.根据权利要求1所述的电子电路(1),其中,所述冲击保护电路(3)的输入端连接到桥式整流器(2)。
4.根据权利要求3所述的电子电路(1),其中,所述电子电路(1)还包括限压器。
5.根据权利要求1所述的电子电路(1),其中,所述触发控制元件(8)包括电压触发电路。
6.根据权利要求4所述的电子电路(1),其中,所述限压器为压敏电阻器(5),所述压敏电阻器(5)被调整和设置为保护桥式整流器(2)和冲击保护电路(3)及DC连接电容器(4)免受过电压。
7.根据权利要求1所述的电子电路(1),其中,所述开关元件(9)从高侧DC电压电平供应,并且其中用于开关元件(9)的控制输入被限制到预定电压电平。
8.根据权利要求1所述的电子电路(1),其中,所述电流监管电路(7)包括第一电阻器(R1)、第二电阻器(R2)、第三电阻器(R3)、第一晶体管(Q1)和NTC电阻器,其中所述第二电阻器(R2)和所述NTC电阻器串联连接以形成支路,所述支路的一端连接至所述第一晶体管(Q1)的基极,所述支路的另一端连接至所述第一晶体管(Q1)的发射极;所述第一电阻器(R1)的一端连接至所述第一晶体管(Q1)的所述基极,所述第一电阻器(R1)的另一端连接至地;所述第三电阻器(R3)的一端连接至所述第一晶体管(Q1)的所述发射极,所述第三电阻器(R3)的另一端连接至地。
9.根据权利要求1所述的电子电路(1),其中,所述触发控制元件(8)包括第四电阻器(R4)、第五电阻器(R5)和第二晶体管(Q2),其中所述第四电阻器(R4)的一端连接至所述第二晶体管(Q2)的基极,所述第四电阻器(R4)的另一端连接至所述第二晶体管(Q2)的发射极;所述第五电阻器(R5)的一端连接至所述第二晶体管(Q2)的所述基极,所述第五电阻器(R5)的另一端连接至地。
10.根据权利要求9所述的电子电路(1),其中,所述开关元件(9)包括第三晶体管(Q3)。
11.根据权利要求1所述的电子电路(1),其中,所述开关元件(9)为MOSFET,并且适用于在线性模式下操作,并且其中如果MOSFET的漏源电压超过预定电压限值,则所述触发控制元件(8)适用于断开开关元件(9)。
12.根据权利要求1所述的电子电路(1),其中,所述电流监管电路(7)适用于降低在开关元件(9)处的栅极电压,然后所述开关元件(9)将在线性模式下操作。
13.根据权利要求8所述的电子电路(1),其中,操作所述第二电阻器(R2)和所述NTC电阻器以对第一晶体管(Q1)的基极发射极的阈值电压进行温度补偿。
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