[发明专利]两个波导之间的接合区域以及相关制造方法

权利要求书

1.一种光子集成装置，包括半导体衬底，

所述半导体衬底包括第一侧部区域、第二侧部区域、中央区域、位于所述第一侧部区域和所述中央区域之间的第一中间区域、位于所述第二侧部区域和所述中央区域之间的第二中间区域，

所述衬底至少包括：第一波导以及第二波导，所述第一波导包括在所述第一侧部区域中的一部分，所述第二波导包括在所述第二侧部区域中的一部分，两个波导由接合区域相互耦合，

所述接合区域包括位于所述中央区域中的中央接合区域、分别延伸至所述第一中间区域和所述第二中间区域中的第一中间接合区域和第二中间接合区域，所述第一中间接合区域和所述第二中间接合区域逐渐变宽以便于接触所述中央接合区域以便于形成突节，以及

至少所述第一波导包括在第二部分上制造的第一部分，所述第一波导的所述第二部分比所述第一部分更宽，以及

所述接合区域包括所述第二部分的一部分，所述第二部分的一部分从所述第一侧部区域延伸至所述第一中间区域中并且延伸至所述中央区域的一部分中，并且逐渐变窄，直至到达所述中央接合区域的宽度。

2.根据权利要求1所述的光子集成装置，其中，所述第二波导包括第一部分，所述第一部分被制造在比所述第一部分更宽的所述第二波导的第二部分上，以及

所述接合区域额外地包括所述第二部分的一部分，所述第二部分的一部分从所述第二侧部区域延伸至所述第二中间区域中并且延伸至所述中央区域的一部分中，并且逐渐变窄，直至达到所述中央接合区域的宽度。

3.根据权利要求1或2所述的光子集成装置，其中，所述第一中间区域与所述第二中间区域的长度不同。

4.根据权利要求1或2所述的光子集成装置，其中，所述接合区域的总长度小于或等于三十五微米。

5.一种用于制造光子集成装置的方法，所述光子集成装置包括由接合区域相互连接的两个波导，所述方法包括刻蚀半导体衬底的两个连续操作，其特征在于，

第一刻蚀操作包括除了由第一掩模掩蔽的第一区域之外，部分地刻蚀所述衬底，以及

第二刻蚀操作包括除了所述第一区域以及由第二掩模掩蔽的第二区域之外，完全刻蚀所述衬底，所述第一刻蚀操作和所述第二刻蚀操作在所述衬底中界定突节；

其中，所述衬底包括第一侧部区域、第二侧部区域、中央区域、位于所述第一侧部区域和所述中央区域之间的第一中间区域、以及位于所述第二侧部区域和所述中央区域之间的第二中间区域，以及

所述第一掩模包括位于所述第一侧部区域中的第一部分、位于所述第二侧部区域中的第二部分、位于所述中央区域中的恒定宽度的中央掩模区域、分别延伸至所述第一中间区域和所述第二中间区域中并且逐渐变宽以便于接触所述中央掩模区域的第一中间掩模区域和第二中间掩模区域，以及

所述第二掩模包括恒定宽度的矩形掩模区域、以及延伸至所述第一中间区域中并且延伸至所述衬底的所述中央区域的一部分中并且变窄的第二中间掩模区域。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二掩模被放置为在所述第二掩模的所述第二中间掩模区域的端部与所述第一掩模的中央掩模区域的边缘之间留下大于三十五纳米的边缘容限。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二刻蚀操作包括：额外地除了由第三掩模所掩蔽的第三区域之外，完全刻蚀所述衬底，所述第三掩蔽区域类似于所述第二区域并且定位作为相对于所述第二掩蔽区域的镜像图像。

8.一种电子系统，包括根据权利要求1至4中任一项所述的装置。

9.根据权利要求8所述的电子系统，所述系统是光学收发器。