[发明专利]突发模式读可控SRAM

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器即SRAM，其包括：

存储单元的阵列，其布置为行和列，且包括对应于所述行的字线和对应于所述列的位线；以及

读控制器，其用于管理所述存储单元的读取，所述读控制器经配置以：

接收预充电信号和字线脉冲信号；

识别经由所述字线中的同一字线存取的存储单元的连续读取；以及

基于指示所述SRAM将在部分突发模式下操作的所述预充电信号和所述字线脉冲信号，在连续读取期间对所述位线预充电不超过一次，且在所述连续读取中的每一读取之后，对所述字线中的同一字线充电。

2.根据权利要求1所述的SRAM，其中所述读控制器进一步经配置以基于指示所述SRAM将在全突发模式下操作的所述预充电信号和所述字线脉冲信号，在所述连续读取期间对所述位线预充电不超过一次，且在所述连续读取期间，对所述字线中的同一字线充电不超过一次。

3.根据权利要求2所述的SRAM，其中所述读控制器进一步经配置以通过确定所述预充电信号与所述字线脉冲信号处于同一高状态，识别所述SRAM将在全突发模式下操作。

4.根据权利要求1所述的SRAM，其中所述读控制器进一步经配置以基于指示所述SRAM将在无突发模式下操作的所述预充电信号和所述字线脉冲信号，在所述连续读取中的每一读取之后，对所述位线预充电。

5.根据权利要求1所述的SRAM，其中所述读控制器进一步经配置以在所述连续读取开始时执行所述位线的预充电。

6.根据权利要求1所述的SRAM，其中所述读控制器进一步经配置以在所述连续读取结束时执行所述位线的预充电。

7.根据权利要求1所述的SRAM，其中，基于指示所述SRAM将在部分突发模式下操作的所述预充电信号和所述字线脉冲信号，所述读控制器进一步经配置以结合所述连续读取执行所述位线的仅单次预充电。

8.根据权利要求1所述的SRAM，其进一步包括：

列解码器，其经配置以从所述列中的每个接收输出信号，且选择来自对应于正被读取的所述存储单元的所述列的所述输出信号，所述输出信号中的每个对应于所述列中的每个中的列电压差分；以及

感测放大器，其经配置以通过感测所选择的列的列电压差分确定所选择的列的状态。

9.一种用于减少静态随机存取存储器即SRAM中的功耗的方法，其包括：

对布置为行和列的存储单元的阵列的多个位线预充电，所述多个位线对应于所述列；

对所述存储单元的阵列的第一字线充电，所述第一字线对应于所述行中的第一行；

识别经由所述第一字线存取的所述存储单元的连续读取；

作为所述连续读取的部分，读取经由所述第一字线存取的第一存储单元和第二存储单元，而不在所述第一存储单元和第二存储单元的所述读取之间对所述多个位线预充电；以及

在所述连续读取中的每一读取之后，对所述第一字线充电。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述读取第一存储单元和第二存储单元包括：

检测连接到所述第一存储单元的两个位线之间的列电压差分；以及

检测连接到所述第二存储单元的两个位线之间的列电压差分。

11.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括，接收预充电信号和字线脉冲信号，其中在所述连续读取中的每一读取之后对所述第一字线施加脉冲是基于确定所述预充电信号和所述字线脉冲信号指示所述SRAM将在部分突发模式下操作。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括，基于确定所述预充电信号和所述字线脉冲信号指示所述SRAM将在无突发模式下操作，在所述连续读取中的每一读取之后，对所述多个位线预充电。