[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201610341694.4 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN107403726B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 杨承 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供一电容结构，所述电容结构包括衬底、位于所述衬底上的氮化物层、以及位于所述氮化物层上的图形化的电极板，其中，所述电容结构还包括深沟槽，所述深沟槽位于所述氮化物层和衬底中，并位于所述电极板的下方，所述深沟槽内的填充有导电填充物，所述深沟槽的内壁与所述导电填充物之间形成有一电介质层；
制备一偏移侧墙，所述偏移侧墙至少覆盖所述电极板的侧壁；
对暴露出的所述氮化物层进行干法刻蚀，并去除暴露出的所述氮化物层的上部，其中，在对暴露出的所述氮化物层进行干法刻蚀的过程中，去除所述氮化物层上部的厚度占所述氮化物层的整体厚度的2/3以上；以及
对暴露出的所述氮化物层进行湿法刻蚀，并去除暴露出的所述氮化物层的底部。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法包括：
以所述电极板为掩膜，对暴露出的所述氮化物层进行干法刻蚀，并去除暴露出的所述氮化物层的上部，形成所述氮化物层的侧壁；
制备所述偏移侧墙，所述偏移侧墙覆盖所述电极板的侧壁以及所述氮化物层的侧壁。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法包括：
制备所述偏移侧墙，所述偏移侧墙覆盖所述电极板的侧壁；
以所述偏移侧墙和所述电极板为掩膜，对暴露出的所述氮化物层进行干法刻蚀，并去除暴露出的所述氮化物层的上部。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述提供一电容结构的步骤包括：
提供所述衬底，所述衬底上包括一氮化物层；
在所述氮化物层上形成一电极板层；
图形化所述电极板层，以形成所述电极板。
5.如权利要求1至3中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备一偏移侧墙的步骤包括：
所述制备一预侧墙层，所述预侧墙层至少覆盖所述电极板的顶部、所述电极板的侧壁以及暴露出的所述氮化物层的顶部；
去除所述电极板的顶部以及暴露出的所述氮化物层的顶部的所述预侧墙层，形成所述偏移侧墙。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述电极板的材料为多晶硅或金属。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述电极板的侧壁呈垂直状。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述偏移侧墙的材料为介电材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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