[发明专利]太阳能电池及其模组有效
| 申请号: | 201610069810.1 | 申请日: | 2016-02-01 |
| 公开(公告)号: | CN106920852B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
| 发明(设计)人: | 陈亮斌 | 申请(专利权)人: | 茂迪股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;顾以中 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 汇流电极 透明导电层 太阳能电池 非晶硅层 连接电极 栅线电极 周边区 基板 模组 基板中央处 侧边延伸 串联电阻 电池受光 电流收集 遮光效果 边缘处 对基板 侧边 邻近 电池 覆盖 | ||
一种太阳能电池及其模组,该电池包含一基板、一第一本质非晶硅层、一第一非晶硅层、一第一透明导电层、二第一汇流电极、二第一连接电极、数个第一栅线电极,及数个第二栅线电极。该第一透明导电层具有一本体区与一平均厚度小于该本体区的周边区。二第一汇流电极分别邻近该基板的二个第一侧边并沿第一侧边延伸。每一第一汇流电极与第一连接电极的位置覆盖该周边区,借此可免除以往将汇流电极设置于靠近基板中央处对基板造成额外的遮光效果,故本发明可提升电池受光面积、提升该第一透明导电层边缘处的电流收集效果,并降低串联电阻。
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池及其模组,特别是涉及一种异质接面结合本质非晶硅薄膜的太阳能电池及其模组。
背景技术
参阅图1、2,一般异质接面结合本质非晶硅薄膜(Heterojunction withIntrinsic Thin-layer,简称HIT)太阳能电池9,通常包含:一具有相对的一正面911与一背面912的n型硅基板91、二分别位于该正面911与该背面912的本质非晶硅层(intrinsicamorphous silicon layer,简称i-layer a-Si)92、一位于正面911的该本质非晶硅层92上的p型非晶硅层(p-type amorphous silicon layer,简称p-type a-Si)93、一位于背面912的该本质非晶硅层92上的n+型非晶硅层(n-type amorphous silicon layer,简称n+-typea-Si)94、二分别位于该p型非晶硅层93与该n+型非晶硅层94上的透明导电层95、95’,以及分别位于二透明导电层95、95’上的一正面电极96与一背面电极97。
该正面电极96包括二间隔的汇流电极961,以及数个横向连接二汇流电极961的指状电极962。二汇流电极961的位置,通常是靠近该基板91中央处,或者至少是设置于离该基板91左右两侧周缘有一段距离的位置。
该透明导电层95是利用真空镀膜方式形成,镀膜时通常会配合遮罩将该p型非晶硅层93周围部位遮蔽后再镀膜,使该透明导电层95不会覆盖到该p型非晶硅层93的边缘区域931,避免该透明导电层95以整面覆盖方式镀膜时,若该透明导电层95还延伸至基板91侧面,则可能会与该基板91背面912上的导电层接触而产生寄生分流(Parasitic Shunting)现象。但使用遮罩镀膜后,会因为遮罩的遮荫效果,导致透明导电层95于周边区域951的镀膜厚度较薄,甚至是最靠近基板91侧边处即呈现无透明导电层95的露出p型非晶硅层93的情形。
由于透明导电层95一般使用透明导电氧化材料,兼具导电与抗反射效果,但因为该p型非晶硅层93的边缘区域931表面没有任何透明导电镀膜,加上该透明导电层95的周边区域951的薄膜厚度较薄,因此该边缘区域931与该周边区域951容易反光,成为不利于受光、使光线进入的区域,这些区域属于受光效能较差的区域。而且该边缘区域931与该周边区域951的电流收集效果较差,串联电阻高,上述缺失有待改良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可提升电池边缘处的电流收集效果、提升光电转换效率的太阳能电池及其模组。
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