[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成栅极层；

形成覆盖所述栅极层的无定型层，其中，所述无定型层完全覆盖后续形成的栅极结构的顶部；

在所述无定型层上形成覆盖层，所述覆盖层的材料为无定型硅；

图形化所述栅极层、无定型层和覆盖层，形成栅极结构，包括：在所述栅极层上形成图形化的光刻胶；以所述光刻胶为掩膜刻蚀所述栅极层、无定型层和覆盖层，形成栅极结构；通过灰化去除所述光刻胶；

通过清洗剂进行清洗，去除光刻胶经灰化工艺后形成的残余物，其中，所述栅极结构的顶部具有无定型层，所述无定型层为非晶态的硅锗层，不具有晶界，能够阻挡清洗剂进入所述栅极结构的晶界处，避免所述清洗剂在晶界处反应使得晶界扩大，同时还能够阻挡所述清洗剂穿过栅极结构到达栅介质层，避免栅介质层中出现孔洞。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述无定型层的厚度为40-50埃。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述栅极层的无定型层的步骤包括：对所述栅极层进行离子注入，形成所述无定型层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极层的材料为多晶硅；

对所述栅极层进行离子注入的步骤中，对所述栅极层进行锗离子注入，形成非晶态的硅锗层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的厚度为90-110埃。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述无定型层上形成覆盖层的方法为低温扩散工艺，所述低温扩散工艺中反应温度小于530摄氏度。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅介质层上形成栅极层的步骤中，所述栅极层的厚度为180-220埃。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：在图形化所述栅极层和无定型层，形成栅极结构的步骤之后，通过氢氟酸对所述栅极结构进行清洗。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的栅极结构；所述栅极结构包括：

位于衬底上的栅介质层；

位于所述栅介质层上的栅极层；

位于所述栅极层上的无定型层，位于所述无定型层上的覆盖层，所述覆盖层的材料为无定型硅，无定型硅中硅原子呈无序排列，无定型硅中无晶界，能够减少无定型层中注入离子的扩散，延长无定型层的寿命，其中，所述无定型层为非晶态的硅锗层。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述无定型层的厚度为40-50埃。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述覆盖层的厚度为90-110埃。

12.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极层的厚度为130-180埃。