[实用新型]金属探测仪

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种金属探测仪，特别是涉及一种使用数字电位器的金属探测仪。

背景技术

金属探测仪通常需要一个或几个电位器来实现灵敏度控制，矿化平衡调节等，使用传统电位器的金属探测仪常出现如下的问题：

1、传统电位器的质量参差不齐，常出现接触不良、旋转时电气噪声大等故障；

2、低温不能工作，金属探测仪常常需要在野外恶劣环境下使用，由于传统电位器的转轴需要使用润滑油，而转轴润滑油在0℃以下低温时会慢慢凝固，因此造成转轴转动力矩显著变大，这时转动转轴会造成转动手感变差，会大大降低电位器寿命，甚至造成转轴断裂，在极端低温下，甚至可能使转轴完全冻死而无法转动；

3、使用传统电位器在设计产品外形时，容易受到限制，不够灵活，机壳的机械结构也较为复杂，增加了产品加工和装配的难度。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术中金属探测仪使用传统电位器会产生各种问题的缺陷，提供一种使用数字电位器的金属探测仪。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：

本实用新型提供了一种金属探测仪，其特点在于，包括单片机和数字电位器，所述数字电位器具有触屏面板，所述数字电位器具有八个引脚，所述数字电位器的升降控制引脚、增加控制引脚及片选控制引脚分别与所述单片机的引脚相电连接，所述数字电位器的高端输出引脚、低端输出引脚及滑动端输出引脚分别与外部输出端口相电连接，所述数字电位器的电源电压引脚与外部电源相电连接，所述数字电位器的接地引脚接地；所述单片机具有设置数字电位器的输出阻值的逻辑接口。

较佳地，所述数字电位器为X9318数字电位器。

较佳地，所述数字电位器的全程阻值为10KΩ(千欧姆)。

较佳地，所述数字电位器的工作电压为5V，终端可耐电压为0-8V。

较佳地，所述数字电位器由CMOS(互补金属氧化物半导体)电路组成。

本实用新型的积极进步效果在于：本实用新型的金属探测仪使用数字电位器，数字电位器质量稳定、可靠，故障率低，并且使得金属探测仪可适应低温的工作环境，产品外形设计美观、灵活，机械结构简单，易于加工和装配。

附图说明

图1为本实用新型的较佳实施例的金属探测仪的结构示意图。

图2为本实用新型的较佳实施例的金属探测仪的部分电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图给出本实用新型较佳实施例，以详细说明本实用新型的技术方案。

如图1所示，本实用新型的金属探测仪包括单片机1和数字电位器2，其中数字电位器2具有触屏面板，所述数字电位器具有八个引脚，所述数字电位器的升降控制引脚、增加控制引脚及片选控制引脚分别与所述单片机的引脚相电连接，所述数字电位器的高端输出引脚、低端输出引脚及滑动端输出引脚分别与外部输出端口相电连接，所述数字电位器的电源电压引脚与外部电源相电连接，所述数字电位器的接地引脚接地；所述单片机具有设置数字电位器的输出阻值的逻辑接口。

在本实用新型中，所述数字电位器为X9318数字电位器其主要规格如下：

所述数字电位器的全程阻值为10KΩ，具有100档位置可调，所述数字电位器的工作电压为5V，终端可耐电压为0-8V，所述数字电位器具有三线逻辑接口，可以进行超过100000次的阻值修改以及超过100年的数据保存，所述数字电位器由低功耗CMOS电路组成。

由于数字电位器是使用了半导体技术的电子集成电路，其低温工作温度可以达到-10℃以下，若选用工业级的器件其低温工作温度还可以达到-20℃以下，这样就很好地解决了低温工作的问题。

另外数字电位器作为一种电子器件，其不含有机械转动轴，因此其使用和其他元器件一样都寿命很长，同时它质量稳定、可靠，一致性好，故障率低。并且，本实用新型的金属探测仪使用数字电位器后，整个面板平整而且协调，整体比较美观，其加工和装配工艺都十分简单。

图2为本实用新型的金属探测仪的部分电路结构示意图，其中U11表示单片机、U12表示数字电位器，数字电位器U12的RH(高端输出引脚)、RW(滑动端输出引脚)、RL(低端输出引脚)引脚是数字电位器的输出端，单片机U11通过逻辑接口可以控制数字电位器输出阻值，其100档可调的步进精细程度完全可以满足设计需求。

虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本实用新型的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本实用新型的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本实用新型的保护范围。