[发明专利]一种Ge‑Sb‑Se硫系纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201510909387.7 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105480955B | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 李增光;吕业刚;马亚东;沈祥;王国祥;戴世勋 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙)33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ge sb se 纳米 制备 方法 | ||
1.一种Ge-Sb-Se硫系纳米线的制备方法，其特征在于：采用高纯度的Ge20Sb15Se65玻璃粉末作为原料，采用水平管式炉装置，以高纯氩气作为工作气体，采用镀金硅片衬底材料进行表面沉积，具体步骤如下：
(1)采用硅片作为衬底，先放在去离子水中用超声清洗20分钟，再放入无水乙醇中用超声清洗20分钟，最后用高纯氮气吹干；
(2)将硅片放入镀金设备中进行镀金，镀金厚度为100～200nm；
(3)称量Ge20Sb15Se65原料0.3～0.5g放入石英坩埚中，并将坩埚置于水平管式炉的高温区，另外将镀金衬底置于低温区；其中所述的高温区的Ge-Sb-Se原料处在气流的上游，所述的低温区的镀金硅片处在气流的下游；所述的高温区与所述的低温区之间的距离为10～20cm；
(4)将水平管式炉抽真空，待管内真空度达到0.02～0.03torr时，向水平管式炉内通入氩气，氩气流量为100～150sccm，10分钟后开始加热，待温度达到设定温度后保持90～120分钟，管内真空度保持在1～5torr，所述的高温区的设定温度为450～550℃，所述的低温区的设定温度为300～400℃；
(5)沉积结束后，让炉内自然降温，待温度降到70℃时，取出分布有Ge-Sb-Se纳米线的镀金衬底，即得到Ge-Sb-Se硫系纳米线。
2.根据权利要求1所述的一种Ge-Sb-Se硫系纳米线的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述的衬底为SiO2/Si(100)基片。
3.根据权利要求1所述的一种Ge-Sb-Se硫系纳米线的制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述的高温区的设定温度为500℃，所述的低温区的设定温度为400℃。
4.根据权利要求1所述的一种Ge-Sb-Se硫系纳米线的制备方法，其特征在于：步骤(4)中所述氩气为高纯氩。
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