[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510731674.3 | 申请日： | 2015-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN105576029B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 三室阳一 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其包含MOS晶体管，该MOS晶体管具有设置在硅衬底上的LOCOS氧化膜；设置在沟道区的表面、比所述LOCOS氧化膜薄且膜厚均匀的栅极氧化膜，所述沟道区是在所述硅衬底上、所述LOCOS氧化膜以外的有源区内的、邻接于所述LOCOS氧化膜的区域；形成在所述栅极氧化膜和所述LOCOS氧化膜上的栅极；以及所述有源区内的、与所述沟道区相反方向的、邻接于所述LOCOS氧化膜的、包含高浓度区域的漏极区，所述半导体装置的特征在于，
在所述高浓度区域的表面上，具有膜厚比所述栅极氧化膜厚且比所述LOCOS氧化膜薄的、均匀膜厚的漏极氧化膜。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述漏极氧化膜的耐压高于所述漏极的耐压。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极与所述LOCOS氧化膜具有所述LOCOS氧化膜的沟道方向长度的1/2以上的重叠长度。
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