[发明专利]一种NAND闪存出现ECC无法纠错时的数据恢复方法

说明书

技术领域

本文涉及存储技术领域,尤其涉及MLC,TLC和QLC NAND的数据恢复。

背景技术

SLC NAND = Single-Level Cell ，即1bit/cell;MLC NAND = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命，我们将每个CELL对应的2个page叫做low page,up page; TLC NAND = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有NAND闪存厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命,我们将每个CELL对应的3个page叫做low page,middle page,up page; QLC NAND = Quad-Level Cell架构，即4bit/cell,我们将每个CELL对应的4个page叫做low page,secondlow page,middle page,up page。

在本文中lower page和upper page是相对的,比如在QLC NAND中, secondlow page相对于low是upper page,但是secondlow page相对于middle page是lower page，而low page, secondlow page,middle page,up page是指的一种类型的page，不是相对的概念。

跟SLC比起来，MLC，TLC和QLC的特点是容量大成本低，存储不稳定，出错的几率较大，需要进行错误修正才能使用。大容量的MLC,TLC和QLC NAND 一般采用可以纠错的错误检查和纠正( 英文：Error Correcting Code，缩写：ECC) 编码来保证存储数据的完整性。

MLC,TLC和QLC NAND一个CELL存放2 bit以上的数据,这些bit分别属于不同的page，二进制高位属于lower page,二进制低位属于upper page。比如对于TLC NAND来说，一个CELL存放二进制110（十进制为6），表示low page里面相应bit为1，middle page里面的相应bit为1，up page相应bit为0。

发明内容

本发明实施例提供了一种NAND 闪存的数据恢复方法，用于解决NAND数据出现ECC无法纠错时的数据恢复方法。

本发明实施例提供了一种NAND 闪存出现ECC无法纠错时的数据恢复方法,包括;如果发现读取操作无法通过ECC纠正当前page所有的bit翻转错误的时候，将当前page的lower pages读出来做ECC纠错之后记录bit翻转信息,根据lower pages的bit翻转信息修改当前page的数据。

所述修改当前page的bit的原则是,如果lower pages的二进制正确值小于错误值则设置当前page对应bit的值为1，如果lower pages的二进制正确值大于错误值则设置当前page对应bit的值为0，这样可以使得在高位bits已经确定的情况下，低位bit的设置使得整个CELL的估计值与读出来的错误值的差距比较小。比如对于MLC NAND，low page经过ECC之后发现某个CELL的bit从0(ECC后的正确值)翻转成了1（ECC前的错误值），那么整个CELL存放的正确值可能是01或者00，而整个CELL的错误值可能是10或者11，很显然对于错误值10（十进制2）或者11(十进制3)来说，正确值为01的可能性比较大，直接设置当前page相应位置的bit为1。

根据lower pages的bit翻转信息修改完当前page的数据之后重新对当前page做ECC纠错。

附图说明

图1为NAND闪存CELL数据与所属page关系示意图。

图2为本发明的NAND 闪存出现ECC无法纠错时的数据恢复方法的一个实施案列的流程图。

具体实施方案

本发明实施例提供了一种NAND 闪存出现ECC无法纠错时的数据恢复方法，用于解决MLC,TLC和QLC NAND数据存储不可靠的问题。