[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括基板，其特征在于，该基板中设有：

第一导电类型的阱；

第二导电类型的第一掺杂区，设于该第一导电类型的阱中；

第二导电类型的阱，与该第一导电类型的阱邻近；以及

第一导电类型的第一掺杂区，掺杂在该第二导电类型的阱中；以及

第二导电类型的第二掺杂区，设于该第一导电类型的阱和该第二导电类型的阱中，该第二导电类型的第二掺杂区与该第二导电类型的第一掺杂区不接触，以及，该第二导电类型的第二掺杂区与该第一导电类型的第一掺杂区接触；

其中，该基板不包括设于该第二导电类型的第一掺杂区、该第一导电类型的阱、该第二导电类型的阱以及该第一导电类型的第一掺杂区形成的电流路径中的隔离材料。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，没有硅化物设在该第一导电类型的阱的至少一部分之上，该第一导电类型的阱的该至少一部分与该第二导电类型的第一掺杂区邻近；以及，没有硅化物设在该第二导电类型的第一掺杂区的至少一部分之上，该第二导电类型的第一掺杂区的该至少一部分与该第一导电类型的阱邻近。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，没有硅化物设于该第二导电类型的第一掺杂区的至少一部分之上、该第二导电类型的第二掺杂区的至少一部分之上以及该第一导电类型的阱的至少一部分之上，其中，该第一导电类型的阱的该至少一部分位于该第二导电类型的第一掺杂区和该第二导电类型的第二掺杂区之间。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，没有硅化物设于该第一导电类型的第一掺杂区的至少一部分之上以及该第二导电类型的第二掺杂区的至少一部分之上。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一导电类型是N型以及该第二导电类型是P型；或者，该第一导电类型是P型以及该第二导电类型是N型。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包括：

第一导电类型的第三掺杂区，掺杂在该第一导电类型的阱中，且与该第二导电类型的第一掺杂区不接触；以及

第二导电类型的第三掺杂区，掺杂在该第二导电类型的阱中，且与该第一导电类型的第一掺杂区接触。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，没有硅化物设于该第一导电类型的阱的至少一部分之上，该第一导电类型的阱的该至少一部分与该第一导电类型的第三掺杂区邻近；以及，没有硅化物设于该第一导电类型的第三掺杂区的至少一部分之上，该第一导电类型的第三掺杂区的该至少一部分与该第一导电类型的阱邻近。