[发明专利]用于探测光子的探测设备以及其方法

权利要求书

1.一种用于探测由辐射源(2)发射的光子的探测设备(6)，其中，所述探测设备(6)被配置为在第一时间段期间探测所述光子，所述探测设备(6)包括：

-传感器(10)，其包括阳极、阴极以及中间直接转换材料，所述中间直接转换材料用于将光子转换为电子和空穴，

-整形元件(20)，其适于将由光子生成的电荷脉冲转换为电脉冲，以及

-补偿单元(450)，其被耦合在所述整形元件(20)的输出部与所述整形元件(20)的输入部之间，

其中，所述补偿单元(450)包括光电导增益提供单元，其中，所述光电导增益提供单元被配置为提供针对所述传感器(10)的光电导增益，

其中，所述补偿单元(450)还包括第二时间段电流提供单元，其中，所述第二时间段电流提供单元被配置为在至少第二时间段期间提供来自所述传感器(10)的电流，其中，所述第二时间段比所述第一时间段短，

其中，所述补偿单元(450)适于将补偿信号提供到所述整形元件(20)，

其中，所述补偿信号基于来自所述传感器(10)的所述电流并且基于针对所述传感器(10)的所述光电导增益。

2.根据权利要求1所述的探测设备(6)，

其中，所述第二时间段在所述第一时间段之内；

并且

其中，由所述第二时间段电流提供单元提供的来自所述传感器(10)的所述电流对应于在所述第二时间段期间测量的来自所述传感器(10)的像素电流。

3.根据权利要求1所述的探测设备(6)，

其中，所述补偿单元(450)包括：第一电流源(I₀)、第二电流源(I₁)和第三电流源(I₂)，以及第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)；并且

其中，所述第一晶体管(M1)的源极和所述第二晶体管(M2)的源极被耦合到所述第一电流源(I₀)。

4.根据权利要求3所述的探测设备(6)，

其中，所述第一晶体管(M1)的漏极被耦合到所述第二电流源(I₁)；

其中，所述第二晶体管(M2)的漏极被耦合到所述第三电流源(I₂)；

其中，所述电脉冲被提供到所述第一晶体管(M1)的栅极；

其中，参考电压(V_计数参考)被提供到所述第二晶体管(M2)的栅极；并且

其中，所述第二晶体管(M2)的所述漏极被耦合到所述整形元件(20)的所述输入部。

5.根据权利要求1所述的探测设备(6)，

其中，所述补偿单元(450)还包括基线恢复器电路(BLR)。

6.根据权利要求3所述的探测设备(6)，其中，所述探测设备(6)还包括：

-基线恢复器电路(BLR)；

-开关网络，其包括第一开关(S1L)、第二开关(S1R)、第三开关(S2)以及第四开关(S3)，其中，所述基线恢复器电路(BLR)被耦合在所述第一开关(S1L)与所述第二开关(S1R)之间；以及

-电流镜(CM)；

其中，所述探测设备(6)能操作在第一模式和第二模式中；

其中，在所述第一模式中，所述第一开关(S1L)和所述第二开关(S1R)被闭合，使得所述基线恢复器电路(BLR)是能操作的，所述第三开关(S2)将所述第二晶体管(M2)的漏极耦合到所述电流镜(CM)，并且所述第四开关(S3)将所述第一晶体管(M1)的漏极耦合到接地端；并且

其中，在所述第二模式中，所述第一开关(S1L)和所述第二开关(S1R)被打开，使得所述基线恢复器电路(BLR)被断开连接，并且所述第三开关(S2)将所述第二晶体管(M2)的所述漏极耦合到所述第一晶体管(M1)的所述漏极。

7.根据权利要求3所述的探测设备(6)，

其中，所述探测设备(6)还包括第四电流源(I)，其中，所述第四电流源(I)被耦合在所述第二晶体管(M2)的漏极与所述第一晶体管(M1)的漏极之间。