[实用新型]具有谐振腔增强效应条栅型的SOI光电探测器有效

申请号：	201420410605.3	申请日：	2014-07-23
公开（公告）号：	CN203983286U	公开（公告）日：	2014-12-03
发明（设计）人：	洪慧;李梦;刘倩文	申请（专利权）人：	杭州电子科技大学
主分类号：	H01L27/146	分类号：	H01L27/146
代理公司：	杭州求是专利事务所有限公司 33200	代理人：	杜军
地址：	310018 浙***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	具有谐振腔增强效应条栅型 soi 光电探测器
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【权利要求书】：

1. 具有谐振腔增强效应条栅型的SOI光电探测器，包括p型半导体衬底、埋氧化层、n型n-well阱区、p型欧姆接触区、环形地电极、环形电压极、n型欧姆接触区、输出电极、条栅型的PCOMP、顶层氧化层和多晶硅；

其特征在于：距离p型半导体衬底表面2 um处设置有埋氧化层，p型半导体衬底上表面设有n型n-well阱区，环形p型欧姆接触区设置在p型半导体衬底上表面且位于n型n-well阱区外侧，环形地电极设置在环形p型欧姆接触区上，环形的n型欧姆接触区设置在p型半导体衬底上表面且位于n型n-well阱区内侧，环形电压极设置在环形n型欧姆接触区上，在p型半导体衬底上表面且位于环形电压极内侧设置有多根互相平行的条栅型的PCOMP ；每根条栅型的PCOMP上设置输出电极；在p型半导体衬底1上表面各个电极之间覆盖一层氧化层，在氧化层的表面覆盖一层多晶硅。

2.根据权利要求1所述的具有谐振腔增强效应条栅型的SOI光电探测器，其特征在于：所述的p型半导体衬底为蓝宝石衬底或硅衬底。

3.根据权利要求1所述的具有谐振腔增强效应条栅型的SOI光电探测器，其特征在于：所述的埋氧化层厚度为140nm。

4.根据权利要求1所述的具有谐振腔增强效应条栅型的SOI光电探测器，其特征在于：所述的n型n-well阱区厚度为1.5um。

5.根据权利要求1所述的具有谐振腔增强效应条栅型的SOI光电探测器，其特征在于：所述的条栅型的PCOMP厚度为1um。

6.根据权利要求1所述的具有谐振腔增强效应条栅型的SOI光电探测器，其特征在于：所述的顶层的氧化层厚度140nm。

7.根据权利要求1所述的具有谐振腔增强效应条栅型的SOI光电探测器，其特征在于：所述的多晶硅厚度为60nm。

8.根据权利要求1所述的具有谐振腔增强效应条栅型的SOI光电探测器，其特征在于：所述的环形地电极、环形电压极和输出电极的材料分别为Al或者Cu的一种。

9.根据权利要求1所述的具有谐振腔增强效应条栅型的SOI光电探测器，其特征在于：条栅型的PCOMP间的距离为1um。

10.根据权利要求1所述的具有谐振腔增强效应条栅型的SOI光电探测器，其特征在于：所述的埋氧化层、n型n-well阱区、条栅型的PCOMP、环形p型欧姆接触区和n型欧姆接触区的外延生长方式采用注氧隔离实现。

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