[发明专利]一种电极结构、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板有效
| 申请号： | 201410601597.5 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104300008B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 何晓龙;姚琪;曹占锋;李正亮;孔祥春;张斌;高锦成 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电极 结构 薄膜晶体管 阵列 显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括衬底基板，以及位于所述衬底基板上的栅电极、有源层、源电极和漏电极，其中，所述栅电极与所述有源层之间相互绝缘，所述源电极和所述漏电极分别与所述有源层电连接；其特征在于：
所述栅电极、所述源电极和所述漏电极至少其中之一包括层叠设置的第一金属层和第一石墨烯层；位于所述衬底基板与所述第一金属层之间的第二金属层；以及
位于所述第二金属层与所述第一金属层之间的第二石墨烯层；
其中，所述第一金属层的材料为铜或者铜合金，所述第二金属层的材料为铜合金。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层位于所述栅电极的上方；
所述栅电极包括依次位于所述衬底基板上方的第二金属层、第二石墨烯层、所述第一金属层和所述第一石墨烯层。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极位于所述有源层的上方；
所述栅电极包括依次位于所述有源层上方的第二金属层、第二石墨烯层、所述第一金属层和所述第一石墨烯层。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极与所述漏电极同层设置，所述有源层位于所述源电极和所述漏电极的上方；
所述源电极和所述漏电极均包括依次位于所述衬底基板上方的第二金属层、第二石墨烯层、所述第一金属层和所述第一石墨烯层。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极与所述漏电极同层设置，所述源电极和所述漏电极位于所述有源层的上方；
所述源电极和所述漏电极均包括依次位于所述衬底基板上方的第二金属层、第二石墨烯层、所述第一金属层和所述第一石墨烯层。
6.如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于：
所述第一石墨烯层为单层石墨烯或双层石墨烯；和/或
所述第二石墨烯层为单层石墨烯或双层石墨烯。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管。
8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求7所述的阵列基板。
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