[发明专利]半导体结构的制作方法在审
| 申请号： | 201410443004.7 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105448654A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 陈怡骏;游宽结;侯元琨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括
提供基底；
在所述基底表面形成金属层；
提供退火腔室，将所述金属层置于退火腔室内进行退火处理，且在退火处理过程中，退火腔室内的温度为第一温度；
在进行所述退火处理后，对所述放置有金属层的退火腔室进行降温处理，使所述退火腔室内的温度由第一温度递减至第二温度；
将所述形成有金属层的基底从具有第二温度的退火腔室内取出。
2.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述退火腔室内具有加热源。
3.如权利要求2所述半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述退火处理过程中加热源处于开启状态，在所述降温处理过程中加热源处于关闭状态。
4.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，对所述放置有金属层的退火腔室进行降温处理的方法包括：第一次向所述退火腔室内通入气体，使退火腔室内具有第一压强，且退火腔室内的第一压强保持预设时长；在第一次向退火腔室内通入气体后，第一次从所述退火腔室内抽出气体，使退火腔室内具有第二压强。
5.如权利要求4所述半导体结构的制作方法，其特征在于，重复若干次向所述退火腔室通入气体，使退火腔室内具有第一压强，退火腔室内的第一压强保持预设时长，且每一次向退火腔室内通入气体后，从所述退火腔室内抽出气体使退火腔室内具有第二压强，直至退火腔室内具有第二温度。
6.如权利要求4或5所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述气体为N2、Ar、He或Ne。
7.如权利要求4或5所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一压强为20托至40托，所述第二压强为5E-5托至7E-5托，所述预设时长为5秒至20秒。
8.如权利要求5所述半导体结构的制作方法，所述向退火腔室内通入气体的次数为50至150次。
9.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一温度为160摄氏度至200摄氏度。
10.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二温度为50摄氏度至80摄氏度。
11.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述退火处理的方法包括：所述退火腔室内具有第一温度，第一次向所述退火腔室内通入气体，使退火腔室内具有第三压强，且退火腔室内的第三压强保持预定时长；第一次从所述退火腔室内抽出气体，使退火腔室内具有第四压强。
12.如权利要求11所述半导体结构的制作方法，其特征在于，重复若干次向所述退火腔室通入气体，使退火腔室内具有第三压强，退火腔室内的第三压强保持预定时长；且每一次向退火腔室内通入气体后，从所述退火腔室内抽出气体，使退火腔室内具有第四压强。
13.如权利要求11或12所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述气体为N2、Ar、He或Ne。
14.如权利要求11或12所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第三压强为20托至40托，所述第四压强为5E-5托至7E-5托。
15.如权利要求12所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述预设时长为5秒至20秒。
16.如权利要求12所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述向退火腔室内通入气体的次数为5至15次。
17.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，将所述形成有金属层的基底从具有第二温度的退火腔室内取出之前，还包括步骤：向所述退火腔室内通入气体，使所述退火腔室内的压强与退火腔室外环境压强相等。
18.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述退火处理适于提高金属层表面的平坦度。
19.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述金属层为单层结构或叠层结构。
20.如权利要求19所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料为TiN、TaN、Ti、Ta、Al、Cu、Pt、Ag或W。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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