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公布日期
2020-03-24 公布专利
2020-03-20 公布专利
2020-03-17 公布专利
2020-03-13 公布专利
2020-03-10 公布专利
2020-03-06 公布专利
2020-03-03 公布专利
2020-02-28 公布专利
2020-02-25 公布专利
2020-02-21 公布专利
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一种低成本变频器有效

申请号: CN201410406957.6 文献下载
申请日: 2014-08-18 公开/公告日: 2014-11-12
公开/公告号: CN104143924A 主分类号: H02M5/458
申请/专利权人: 浙江易控电子科技有限公司
发明/设计人: 张学峰;冯涛;许衍庭
分类号: H02M5/458
搜索关键词: 一种 低成本 变频器
 
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地址: 314300 浙江省嘉兴*** 国省代码: 浙江;33
代理公司: 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 代理人: 曹康华
【权利要求书】:

1.一种低成本变频器,其特征在于,包括整流电路(1)、滤波电路(2)、逆变电路(3)、驱动电路(4)、可控硅开关(5)、开关模块、充放电器件(6),所述整流电路(1)连接滤波电路(2),所述滤波电路(2)连接逆变电路(3),所述逆变电路(3)均连接开关模块、充放电器件(6)、可控硅开关(5),所述可控硅开关(5)还连接充放电器件(6),所述开关模块连接驱动电路(4),所述驱动电路(4)采用三极管电路,所述整流电路(1)采用二极管电路,所述逆变电路(3)采用六个IGBT单管,所述开关模块包括开关电路j(71)、开关电路k(72)、开关电路m(73)、开关电路n(74)、开关电路p(75)、开关电路q(76),所述开关电路j(71)、开关电路k(72)、开关电路m(73)、开关电路n(74)、开关电路p(75)、开关电路q(76)各自连接一个IGBT单管。

2.根据权利要求1所述一种低成本变频器,其特征在于,所述一种低成本变频器的电路板采用四层板覆地结构。

3.根据权利要求1所述一种低成本变频器,其特征在于,所述充放电器件(6)为无极性电容。

4.根据权利要求1所述一种低成本变频器,其特征在于,所述整流电路(1)包括二极管D19、二极管D20、二极管D21、二极管D22、二极管D23、二极管D30,所述二极管D19与二极管D20相串联形成串联电路a,所述二极管D21和二极管D23相串联形成串联电路b,所述二极管D22与二极管D30相串联形成串联电路c,所述串联电路a与串联电路b相并联,所述串联电路b与串联电路c相并联。

5.根据权利要求1所述一种低成本变频器,其特征在于,所述滤波电路(2)包括电阻R67、电阻R68、电阻R73、电阻R74、极性电容C38、极性电容C39、极性电容C31、极性电容C37,所述电阻R73与电阻R67相串联形成串联电路α,所述电阻R74与电阻R68相串联形成串联电路β,所述极性电容C38、极性电容C31相串联形成串联电路Ω,所述极性电容C39、极性电容C37相串联形成串联电路γ,所述串联电路α、串联电路β、串联电路Ω、串联电路γ相互并联。

6.根据权利要求4所述一种低成本变频器,其特征在于,所述极性电容C38的负极串联连接极性电容C31的正极,所述极性电容C39的负极串联连接极性电容C37的正极。

7.根据权利要求1所述一种低成本变频器,其特征在于,所述逆变电路(3)包括IGBT单管Q30、IGBT单管Q32、IGBT单管Q33、IGBT单管Q27、IGBT单管Q28、IGBT单管Q29,所述IGBT单管Q30与IGBT单管Q27相串联形成串联电路f,所述IGBT单管Q32与IGBT单管Q28相串联形成串联电路g,所述IGBT单管Q33与IGBT单管Q29相串联形成串联电路h,所述串联电路f、串联电路g、串联电路h相并联。

8.根据权利要求1所述一种低成本变频器,其特征在于,所述开关电路j(71)、开关电路k(72)、开关电路m(73)均包括电阻Rd、电阻Re、二极管Dw,所述电阻Rd的一端连接二极管Dw的负极,所述二极管Dw的正极均连接电阻Re的一端和逆变电路,所述电阻Re的另一端连接电阻Rd的另一端,所述电阻Rd的另一端连接直流电源VCC,所述开关电路n(74)、开关电路p(75)、开关电路q(76)包括Ri、电阻Rj、二极管Dk,所述电阻Ri的一端连接二极管Dk的负极,所述二极管Dk的正极均连接电阻Rj的一端和逆变电路(3),所述电阻Rj的另一端连接电阻Ri的另一端,所述电阻Ri的另一端连接驱动电路(4)。

9.根据权利要求1所述一种低成本变频器,其特征在于,所述驱动电路(4)包括三极管电路π(41)、三极管电路η(42)、三极管电路φ(43),所述三极管电路π(41)、三极管电路η(42)、三极管电路φ(43)均包括电阻Rm、电容Cn、NPN三极管Qx、NPN三极管Qy、PNP三极管Qz,所述电阻Rm连接NPN三极管Qx的基极,所述NPN三极管Qx的基极和发射极之间连接电容Cn,所述NPN三极管Qx的集电极均连接NPN三极管Qy的基极、PNP三极管Qz的基极、NPN三极管Qy的集电极,所述NPN三极管Qy的发射极连接PNP三极管Qz的发射极,所述NPN三极管Qx的发射极连接PNP三极管Qz的集电极,所述NPN三极管Qy的集电极连接直流电源VCC。

10.根据权利要求7所述一种低成本变频器,其特征在于,所述IGBT单管Q30、IGBT单管Q32、IGBT单管Q33、IGBT单管Q27、IGBT单管Q28、IGBT单管Q29均为N沟道IGBT单管。

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