[发明专利]基于透明质酸修饰的表面等离子共振仪芯片及其制备方法无效
| 申请号: | 201410330967.6 | 申请日: | 2014-07-11 |
| 公开(公告)号: | CN104155453A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
| 发明(设计)人: | 苏荣欣;黄仁亮;刘霞;齐崴;何志敏 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | G01N33/68 | 分类号: | G01N33/68 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 王丽 |
| 地址: | 300072 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 透明 修饰 表面 等离子 共振 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于透明质酸的表面等离子共振仪芯片;其特征是透明质酸修饰芯片的结构依次为玻璃层、铬层、金膜层、巯基醇单分子层和透明质酸层组成。
2.如权利要求1所述的共振仪芯片;其特征是所述BK7玻璃层厚度为0.3-0.7毫米。
3.如权利要求1所述的共振仪芯片;其特征是所述铬层厚度为2-3纳米。
4.如权利要求1所述的共振仪芯片;其特征是所述金膜层厚度为45-50纳米。
5.如权利要求1所述的共振仪芯片;其特征是所述巯基醇层为单分子层。
6.如权利要求1所述的共振仪芯片;其特征是所述透明质酸层厚度为6-15纳米。
7.权利要求1的基于透明质酸的表面等离子共振仪芯片制备方法,其特征在于包括以下步骤:
a)裸金芯片制备
通过真空溅射在BK7玻璃基底上先涂覆2-3nm厚铬层,再涂覆45-50nm厚金膜,获得了裸金芯片;
b)裸金芯片预处理
将步骤a)获得的裸金芯片浸入浓硫酸与双氧水体积比1:0.4-1:1的混合溶液中,常温下浸泡1-6h;然后取出用去离子水清洗直至表面无硫酸及双氧水残留,再用氮气吹干;
c)巯基醇修饰
用无水乙醇配制浓度为5-10mM的11-巯基-1-十一醇溶液;将步骤b)获得的裸金芯片浸入上述11-巯基-1-十一醇溶液中,常温下浸泡6-15h后取出,在金膜表面形成了巯基醇自组装单层;用乙醇和去离子水清洗直至未结合到金膜表面巯基醇被清洗干净,再用氮气吹干;
d)透明质酸修饰
1)用二乙二醇二甲醚配制浓度为0.6M的环氧氯丙烷溶液;将步骤c)获得的芯片浸入上述环氧氯丙烷溶液中,常温下浸泡2-8h后取出;用去离子水清洗掉残留的环氧氯丙烷及二乙二醇二甲醚,再并用氮气吹干;
2)用0.1M的氢氧化钠溶液配制浓度为1-10mg/mL、分子量为10-2000kDa的透明质酸溶液;将步骤1)获得的芯片浸入上述透明质酸溶液中,常温下浸泡5-24h后取出;用去离子水洗掉未反应的透明质酸,并用氮气吹干备用;
e)羧基化改性
用1M的氢氧化钠溶液配制浓度为1M的溴乙酸溶液;将步骤d)获得的芯片浸入上述溴乙酸溶液中,常温下浸泡8-24h,在自组装单层表面修饰了一层透明质酸层。用去离子水清洗并用氮气吹干。
8.如权利要求7所述的方法,其特征是所述的金膜用银膜、银/金复合膜替换。
9.如权利要求7所述的方法,其特征是所述的透明质酸分子量为10-2000kDa,浓度为1-10mg/mL。
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