[发明专利]氮杂聚硅烷前体和沉积包含该前体的薄膜的方法

权利要求书

1.包含至少两个Si-N键、至少一个Si-Si键和至少两个SiH₂基团的氮杂聚硅烷前体，其由下式IA表示：

其中R¹选自直链或支链C₁-C₁₀烷基、直链或支链C₃-C₁₀烯基、直链或支链C₃-C₁₀炔基、C₃-C₁₀环烷基、C₃-C₁₀杂环烷基、C₅-C₁₀芳基、C₃-C₁₀杂芳基、C₂-C₁₀二烷基氨基和C₃-C₁₀环烷基氨基；其中式IA中的R¹不能为甲基。

2.权利要求1所述的氮杂聚硅烷前体，其选自3-异丙基-3-氮杂-戊硅烷、3-叔丁基-3-氮杂-戊硅烷、3-叔戊基-3-氮杂-戊硅烷、3-环戊基-3-氮杂-戊硅烷、3-环己基-3-氮杂-戊硅烷、3-(2,6-二甲基环己基)-3-氮杂-戊硅烷、3-(四氢吡喃-4-基)-3-氮杂-戊硅烷、3-(1-甲基哌啶-4-基)-3-氮杂-戊硅烷、3-苯基-3-氮杂-戊硅烷、3-(2-甲基-苯基)-3-氮杂-戊硅烷、3-(2,6-二甲基-苯基)-3-氮杂-戊硅烷、3-(吡啶-3-基)-3-氮杂-戊硅烷、3-(4-甲基吡啶-3-基)-3-氮杂-戊硅烷。

3.一种组合物，包含：

(a)至少一种包含至少两个Si-N键、至少一个Si-Si键和至少两个SiH₂基团的氮杂聚硅烷前体，其由下式IA表示：

其中R¹选自直链或支链C₁-C₁₀烷基、直链或支链C₃-C₁₀烯基、直链或支链C₃-C₁₀炔基、C₃-C₁₀环烷基、C₃-C₁₀杂环烷基、C₅-C₁₀芳基、C₃-C₁₀杂芳基、C₂-C₁₀二烷基氨基和C₃-C₁₀环烷基氨基，其中式IA中的R¹不能为甲基；和

(b)溶剂，其中所述溶剂具有沸点且其中所述溶剂的沸点和该至少一种氮杂聚硅烷的沸点之差是40℃或更小。

4.权利要求3所述的组合物，其中所述溶剂包含选自以下的至少一种：醚、叔胺、烷烃、芳烃、叔氨基醚。

5.权利要求3或4所述的组合物，其中所述氮杂聚硅烷前体包含选自以下的至少一种：3-异丙基-3-氮杂-戊硅烷、3-叔丁基-3-氮杂-戊硅烷、3-叔戊基-3-氮杂-戊硅烷、3-环戊基-3-氮杂-戊硅烷、3-环己基-3-氮杂-戊硅烷、3-(2,6-二甲基环己基)-3-氮杂-戊硅烷、3-(四氢吡喃-4-基)-3-氮杂-戊硅烷、3-(1-甲基哌啶-4-基)-3-氮杂-戊硅烷、3-苯基-3-氮杂-戊硅烷、3-(2-甲基-苯基)-3-氮杂-戊硅烷、3-(2,6-二甲基-苯基)-3-氮杂-戊硅烷、3-(吡啶-3-基)-3-氮杂-戊硅烷、3-(4-甲基吡啶-3-基)-3-氮杂-戊硅烷。