[发明专利]一种改进的有源区只读存储单元在审
| 申请号： | 201410273831.6 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104008776A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 李力南;翁宇飞 | 申请（专利权）人： | 苏州宽温电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改进 有源 只读 存储 单元 | ||
【权利要求书】：
1.一种改进的有源区只读存储单元，包括两条支路，所述两条支路的每条都包括一个MOS场效应晶体管，其中一条支路的所述MOS场效应晶体管包括栅极，栅极的栅介质和栅介质下面的第1和第2掺杂半导体区，另外一条支路的所述MOS场效应晶体管只包括栅极，所述第1和第2掺杂半导体区分别作为所述MOS场效应晶体管的源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的改进的有源区只读存储单元，其特征在于，所述所述MOS场效应晶体管作为数据存储元件，且所述MOS场效应晶体管的栅极作为整体器件的字线，所述MOS场效应晶体管的漏极作为整体器件的位线。
3.根据权利要求1所述的改进的有源区只读存储单元，其特征在于，所述所述MOS场效应晶体管的第1和第2掺杂半导体区在空间上隔开并在其中间确定了沟道区。
4.根据权利要求1所述的改进的有源区只读存储单元，其特征在于，所述M1的栅极是导电结构，所述栅极的栅介质是一层超薄介质。
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