[发明专利]光刻方法以及工艺腔室

权利要求书

1.一种光刻方法，其特征在于，包括：

提供晶圆；

将晶圆放入涂布腔室中，将涂布腔室中的气压设置为第一气压，在所述晶圆表面进行第一旋涂，在所述晶圆表面覆盖光刻材料层；

进行第一旋涂之后，进行第一降压步骤，使涂布腔室中的气压从第一气压下降为第二气压；

使涂布腔室中的气压恢复为第一气压，在所述晶圆表面进行第二旋涂，所述第二旋涂的步骤中晶圆的转速大于第一旋涂步骤中晶圆的转速；

对所述光刻材料层进行固化处理；

对覆盖有光刻材料层的晶圆进行光刻。

2.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述涂布腔室与一排气腔室相连，所述涂布腔室与所述排气腔室之间设置有阀门，用于控制所述排气腔室与所述涂布腔室的连通或隔断；

所述排气腔室设置有真空泵，用于在阀门打开时将所述涂布腔室中的气体抽入排气腔室并排出；

在进行第一旋涂的步骤之前，关闭所述阀门；

在进行第一降压的步骤中，打开所述阀门，使真空泵工作以排出排气腔室以及转涂布腔室中的气体；

在进行第一降压的步骤之后，关闭所述阀门，使涂布腔室中的气压恢复为第一气压。

3.如权利要求1或2所述的光刻方法，其特征在于，在所述晶圆表面上进行第一旋涂的过程中，在所述晶圆表面分滴光刻材料层，使所述晶圆的转速在100到500转每分钟的范围内。

4.如权利要求1或2所述的光刻方法，其特征在于，在所述晶圆表面上进行第二旋涂的过程中，使所述晶圆的转速在1500到6000转每分钟的范围内。

5.如权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，在所述晶圆表面进行第二旋涂以后，对所述光刻材料层进行固化处理之前，还包括：进行第二降压步骤，在所述第二降压步骤中，打开所述阀门，使真空泵工作以排出排气腔室以及涂布腔室中的气体。

6.如权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，将晶圆放入涂布腔室之前，使真空泵工作以排出排气腔室中的气体，直到第一降压步骤结束。

7.如权利要求1或2所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻材料层为平坦层，在对所述光刻材料层进行固化处理之后，还包括：在光刻材料层上形成图形化的掩模层，以所述图形化的掩模层为掩模，对所述晶圆进行刻蚀。

8.如权利要求7所述的光刻方法，其特征在于，在对所述光刻材料层进行固化处理之后，在所述光刻材料层上形成底部抗反射层，所述图形化的掩模层形成于所述底部抗反放射层上。

9.如权利要求1或2所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻材料层为光刻胶，在对所述光刻材料层进行固化处理之后，以所述光刻胶为掩模，对所述晶圆进行刻蚀。

10.一种工艺腔室，其特征在于，包括：

涂布腔室，用于进行旋涂工艺；

排气腔室，与所述涂布腔室相连，用于在与所述涂布腔室连通时降低所述涂布腔室中的气压；

所述排气腔室与所述涂布腔室之间设置有阀门，用于控制所述排气腔室与所述涂布腔室的连通或隔断。

11.如权利要求10所述的工艺腔室，其特征在于，所述排气腔室设置有真空泵，用于在所述阀门打开将所述涂布腔室中的气体抽入排气腔室并排出。

12.如权利要求11所述的工艺腔室，其特征在于，所述排气腔室位于所述涂布腔室下方，所述涂布腔室内设置有晶圆托盘，所述阀门位于所述晶圆托盘下方。