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公布日期
2020-03-27 公布专利
2020-03-24 公布专利
2020-03-20 公布专利
2020-03-17 公布专利
2020-03-13 公布专利
2020-03-10 公布专利
2020-03-06 公布专利
2020-03-03 公布专利
2020-02-28 公布专利
2020-02-25 公布专利
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专利权人
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半导体器件、天线开关电路和无线电通信装置有效

申请号: CN201410180883.9 文献下载
申请日: 2014-04-30 公开/公告日: 2019-05-10
公开/公告号: CN104143569B 主分类号: H01L29/778
申请/专利权人: 索尼公司
发明/设计人: 竹内克彦;谷口理
分类号: H01L29/778;H01L29/06
搜索关键词: 半导体器件 天线 开关电路 无线电通信 装置
 
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地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 曹正建;陈桂香
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,其包括:

层叠体,其包括由化合物半导体构成的沟道层;

至少一个栅电极,其设置在所述层叠体的顶表面侧上;以及

绝缘膜,其位于所述层叠体和所述至少一个栅电极之间,

其中,所述层叠体包括:

第一低电阻区域,其设置在所述层叠体的顶表面侧上,所述第一低电阻区域面对所述至少一个栅电极,以及

第二低电阻区域,其设置在所述层叠体的顶表面侧上并位于所述第一低电阻区域的外侧,所述第二低电阻区域与所述第一低电阻区域连续,

其中,所述半导体器件还包括层叠在所述第二低电阻区域上的高电阻区域,所述高电阻区域从所述第一低电阻区域横向设置且设置在所述第一低电阻区域的外侧,并且所述高电阻区域由半导体材料形成。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述第一低电阻区域包括与所述沟道层中移动的载流子的第一导电类型相反的第二导电类型的杂质,且

与所述第一低电阻区域相比,所述第二低电阻区域具有更小的所述第二导电类型的每单位长度的电荷量。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,与所述第一低电阻区域相比,所述第二低电阻区域具有更低的所述第二导电类型的杂质浓度。

4.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,与所述第一低电阻区域相比,所述第二低电阻区域具有更小的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其还包括设置在所述层叠体的顶表面侧上的源电极和漏电极,其中,

所述至少一个栅电极包括两个以上的栅电极,且

所述两个以上的栅电极设置在所述源电极和所述漏电极之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件,其中,

所述源电极和所述漏电极中的每者具有梳子形状,

所述源电极和所述漏电极具有隔着间隙互相交错的平面形状,且

所述两个以上的栅电极中的每者具有蜿蜒通过所述间隙的平面形状。

7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,

所述源电极和所述漏电极均包含多个梳齿部,

所述两个以上的栅电极中的每者具有沿着所述多个梳齿部中的每者的前边缘的回折部,且

所述回折部具有包括弧线的平面形状。

8.根据权利要求5所述的半导体器件,其中,所述第二低电阻区域连续地设置在所述两个以上的栅电极之间。

9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述层叠体包括所述沟道层和设置在所述沟道层的顶侧上的顶部势垒层,且

所述顶部势垒层由如下化合物半导体构成,与所述沟道层相比,该化合物半导体中的与所述沟道层的结处的载流子移动侧上的能带更远离所述沟道层内的本征费米能级。

10.根据权利要求9所述的半导体器件,其中,

所述层叠体还包括设置在所述沟道层的底侧上的底部势垒层,且

所述底部势垒层由如下化合物半导体构成,与所述沟道层相比,该化合物半导体中的与所述沟道层的结处的载流子移动侧上的能带更远离所述沟道层中的本征费米能级。

11.根据权利要求9所述的半导体器件,其中,

所述沟道层由作为III-V族化合物半导体的InGaAs混合晶体构成,且

所述顶部势垒层由作为III-V族化合物半导体的In(AlGa)AsP混合晶体构成。

12.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第二低电阻区域设置在所述层叠体的顶表面中的除所述第一低电阻区域之外的整个区域中。

13.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,在向所述至少一个栅电极施加电压时的截止状态下,位于所述第二低电阻区域下方的所述沟道层内部的载流子以及所述第二低电阻区域内部的具有与载流子的导电类型相反的导电类型的电荷被耗尽。

14.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述沟道层设置在由GaAs构成的基板上。

15.根据权利要求14所述的半导体器件,其中,所述沟道层是通过使晶格常数不同于GaAs的化合物半导体在所述基板上进行变质生长而形成的。

16.一种天线开关电路,其包括:

第一端子,其用于接收作为输入的传输信号;

第二端子,其与天线相连接;

第三端子,其用于输出在所述天线处接收的接收信号;

第一开关器件,其连接在所述第一端子和所述第二端子之间;以及

第二开关器件,其连接在所述第二端子和所述第三端子之间,其中,

在信号传输时,所述第一开关器件处于导通状态,且所述第二开关器件处于非导通状态,而在信号接收时,所述第一开关器件处于非导通状态,且所述第二开关器件处于导通状态,且

所述第一开关器件和所述第二开关器件中的一者或两者由权利要求1-15中任一项所述的半导体器件构成。

17.根据权利要求16所述的天线开关电路,其中,所述第一开关器件和所述第二开关器件中的一者或两者由多级连接的多个所述半导体器件构成。

18.一种设置有天线和根据权利要求16或17所述的天线开关电路的无线电通信装置,所述天线开关电路用于执行传输信号向所述天线的输入或所述天线处接收的接收信号的输出的切换。

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