[发明专利]半导体器件、天线开关电路和无线电通信装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

层叠体，其包括由化合物半导体构成的沟道层；

至少一个栅电极，其设置在所述层叠体的顶表面侧上；以及

绝缘膜，其位于所述层叠体和所述至少一个栅电极之间，

其中，所述层叠体包括：

第一低电阻区域，其设置在所述层叠体的顶表面侧上，所述第一低电阻区域面对所述至少一个栅电极，以及

第二低电阻区域，其设置在所述层叠体的顶表面侧上并位于所述第一低电阻区域的外侧，所述第二低电阻区域与所述第一低电阻区域连续，

其中，所述半导体器件还包括层叠在所述第二低电阻区域上的高电阻区域，所述高电阻区域从所述第一低电阻区域横向设置且设置在所述第一低电阻区域的外侧，并且所述高电阻区域由半导体材料形成。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一低电阻区域包括与所述沟道层中移动的载流子的第一导电类型相反的第二导电类型的杂质，且

与所述第一低电阻区域相比，所述第二低电阻区域具有更小的所述第二导电类型的每单位长度的电荷量。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，与所述第一低电阻区域相比，所述第二低电阻区域具有更低的所述第二导电类型的杂质浓度。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，与所述第一低电阻区域相比，所述第二低电阻区域具有更小的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其还包括设置在所述层叠体的顶表面侧上的源电极和漏电极，其中，

所述至少一个栅电极包括两个以上的栅电极，且

所述两个以上的栅电极设置在所述源电极和所述漏电极之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，

所述源电极和所述漏电极中的每者具有梳子形状，

所述源电极和所述漏电极具有隔着间隙互相交错的平面形状，且

所述两个以上的栅电极中的每者具有蜿蜒通过所述间隙的平面形状。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

所述源电极和所述漏电极均包含多个梳齿部，

所述两个以上的栅电极中的每者具有沿着所述多个梳齿部中的每者的前边缘的回折部，且

所述回折部具有包括弧线的平面形状。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二低电阻区域连续地设置在所述两个以上的栅电极之间。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述层叠体包括所述沟道层和设置在所述沟道层的顶侧上的顶部势垒层，且

所述顶部势垒层由如下化合物半导体构成，与所述沟道层相比，该化合物半导体中的与所述沟道层的结处的载流子移动侧上的能带更远离所述沟道层内的本征费米能级。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

所述层叠体还包括设置在所述沟道层的底侧上的底部势垒层，且

所述底部势垒层由如下化合物半导体构成，与所述沟道层相比，该化合物半导体中的与所述沟道层的结处的载流子移动侧上的能带更远离所述沟道层中的本征费米能级。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

所述沟道层由作为III-V族化合物半导体的InGaAs混合晶体构成，且

所述顶部势垒层由作为III-V族化合物半导体的In(AlGa)AsP混合晶体构成。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二低电阻区域设置在所述层叠体的顶表面中的除所述第一低电阻区域之外的整个区域中。