[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年7月15日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2013-0082936的优先权，其内容全文以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着半导体制造商减小半导体器件的几何形状以便继续在越来越小的封装件中提供更多的功能和性能，减小的特征尺寸可影响半导体器件的性能。例如，MOS器件的栅极区的尺寸可减小，并且因此形成在栅极区的相对侧部的源极与漏极区之间的距离也将减小。这种减小可影响这种器件的多种性能特征。

发明内容

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和在所述第一有源区和所述第二有源区之间并直接接触所述第一有源区和所述第二有源区的场区；以及栅极结构，其形成在所述衬底上，以跨越所述第一有源区、所述第二有源区和所述场区，其中所述栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，其中所述p型金属栅电极形成在所述第一有源区上，并且所述n型金属栅电极形成在所述第二有源区上，并且其中所述p型金属栅电极和所述n型金属栅电极之间的接触表面更靠近所述第一有源区而非所述第二有源区。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体器件，其中所述场区具有与所述第一有源区和所述第二有源区等距间隔开的中心线，并且所述p型金属栅电极没有延伸至所述中心线。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体器件，其中所述p型金属栅电极包括依次一个形成在另一个上的p型功函数调整层、第一下部金属栅电极和第一上部金属栅电极，并且所述n型金属栅电极包括依次一个形成在另一个上的第二下部金属栅电极和第二上部金属栅电极，但不包括p型功函数调整层。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体器件，其中所述接触表面由所述p型功函数调整层限定。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体器件，其中所述第一下部金属栅电极和所述第二下部金属栅电极彼此直接接触，并且所述第一上部金属栅电极和所述第二上部金属栅电极彼此直接接触。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体器件，其包括：层间介质层，其形成在所述衬底上并包括与所述第一有源区、所述场区和所述第二有源区交叉的沟槽，其中所述第一下部金属栅电极和所述第二下部金属栅电极沿着所述沟槽的侧壁和底表面形成。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体器件，其中所述第一下部金属栅电极和所述第二下部金属栅电极通过所述p型功函数调整层彼此分离。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体器件，其中所述衬底是硅衬底，并且锗化硅沟道层设置在所述第一有源区与所述p型金属栅电极之间。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体器件，其中所述第一有源区是静态随机存取存储器(SRAM)的上拉晶体管形成区，并且所述第二有源区是SRAM的下拉晶体管形成区。

根据本发明构思的原理的示例性实施例包括一种半导体器件，其中所述第一有源区和所述第二有源区分别是第一鳍型有源图案和第二鳍型有源图案。