[发明专利]用于高温工艺的碳层

权利要求书

1.一种方法，包括：

使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）在衬底上沉积具有氢含量的碳层，所述氢含量使得在低于700℃的温度对所述碳层进行任意热处理1小时或1小时以下时所述碳层的收缩低于10%；以及

在至少400℃的温度执行所述碳层的处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在800℃或低于800℃的温度对所述碳层进行任意热处理2小时或2小时以下时所述碳层的收缩低于5%。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳层具有针对吸水和吸湿的时间稳定性，使得所述碳层的应力随时间基本保持恒定。

4.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述碳层包括向处理反应室供给前驱气体和稀释气体。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述稀释气体包括氦气、氩气或氮气中的至少一种。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述前驱气体包括碳氢气体中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理包括在至少500℃执行热处理。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理包括在所述碳层上沉积包封层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在至少500℃的温度执行所述包封层的所述沉积。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述包封层包括氮化物、氧化物、氮氧化物、非晶硅或多晶硅中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理包括低压化学气相沉积（LPCVD）工艺。

12.一种方法，包括：

使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺沉积碳层；以及

在至少500℃的温度在所述碳层上沉积另一层，其中在沉积所述另一层期间所述碳层的收缩小于10%。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述收缩小于5%。

14.一种装置，包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备，所述等离子体增强化学气相沉积设备被配置成在衬底上沉积具有氢含量的碳层，所述氢含量使得在低于700℃的温度对所述碳层进行任意热处理1小时或1小时以下时所述碳层的收缩低于10%。

15.根据权利要求14所述的装置，进一步包括高温处理设备，所述高温处理设备被配置成在至少400℃的温度处理所述碳层。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述高温处理设备包括批处理炉。

17.根据权利要求14所述的装置，包括低压化学沉积（LPCVD）处理设备，所述低压化学沉积处理设备被配置成在至少500℃的温度包封所述碳层。

18.根据权利要求17所述的装置，其中所述LPCVD处理设备被配置成沉积氮化物层、氮氧化物层、氧化物层、非晶硅层或多晶硅层中的至少一种。

19.根据权利要求14所述的装置，其中所述PECVD设备包括前驱气体源和稀释气体源。

20.根据权利要求14所述的装置，其中所述PECVD设备被配置成当沉积所述碳层时在高于200℃的温度以及以低于1500Pa的压力工作。

21.一种器件，包括：

衬底；以及

等离子体增强化学气相沉积所沉积的具有氢含量的碳层，所述氢含量使得在低于700℃的温度对所述碳层进行任意热处理1小时或1小时以下时所述碳层的收缩低于10%。

22.根据权利要求21所述的器件，进一步包括在所述碳层上的包封层。

23.根据权利要求22所述的器件，其中所述包封层包括氮化物、氧化物、氮氧化物、非晶硅或多晶硅中的至少一种。

24.根据权利要求21所述的器件，其中所述氢含量使得在800℃或低于800℃的温度对所述碳层进行任意热处理1小时或1小时以下时所述碳层的收缩低于5%。