[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法有效

专利信息
申请号: 201410113648.X 申请日: 2014-03-25
公开(公告)号: CN104143508B 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 西崎展弘;针贝笃史;岩井哲博;广岛满 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊建中
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子 处理 装置 以及 方法
【权利要求书】:

1.一种等离子处理装置,其对由保持片和在所述保持片的外周缘附近的粘着面贴着的环状的框构成的输送载体所保持的基板实施等离子处理,所述等离子处理装置的特征在于,

具备:

室,其具有能够减压的内部空间;

等离子源,其使所述室内产生等离子;

台,其被设置于所述室内并载置所述输送载体;

盖子,其配置于所述台的上方并覆盖所述保持片和所述框,具有在厚度方向上贯通地形成在中央部的窗部以及在下表面的外周部所设置的载置面;和

驱动机构,其将所述盖子相对于所述台的相对位置变更为第1位置和第2位置,所述第1位置是离开所述台并容许所述输送载体相对于所述台的装卸的位置,所述第2位置是所述盖子与所述框、所述保持片、所述基板的任一个均不接触地覆盖在所述台上载置的所述输送载体的所述保持片和所述框、且所述窗部使所述保持片所保持的所述基板露出并且所述载置面与所述台进行面接触的位置,

所述盖子的窗部,使所述基板的比外缘区域更靠内侧的区域露出,

所述驱动机构具备固定于所述盖子的所述载置面的驱动杆。

2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

所述盖子,在构成窗部的内缘部下表面,具有与所述基板对置的对置面。

3.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其特征在于,

所述盖子所覆盖的基板的外缘区域,是从基板的外缘起向内侧5mm以下的范围。

4.一种等离子处理方法,其特征在于,

准备具有保持片和在所述保持片的外周缘附近的粘着面贴着的环状的框的输送载体,

使基板保持在所述输送载体的保持片上,

将所述输送载体运入等离子处理装置的室内并载置于台上,

用盖子与所述框、所述保持片、所述基板的任一个均不接触地覆盖所述输送载体的所述保持片和所述框,通过形成于所述盖子的窗部,使所述基板的外缘区域的内侧露出,并且通过固定于在所述盖子的下表面的外周部所设置的载置面的驱动杆,使所述载置面与所述台进行面接触,其中所述盖子配置于所述台的上方并覆盖所述保持片和所述框,且具有在厚度方向上贯通地形成在中央部的窗部、和设置于下表面的外周部的载置面,

在所述室内产生等离子,并对从所述窗部露出的基板实施等离子处理。

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  • 一种碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法-201611114122.9
  • 陈慧卿;谭振;张敏;宁提 - 中国电子科技集团公司第十一研究所
  • 2016-12-07 - 2019-07-26 - H01L21/3065
  • 本发明涉及半导体领域,特别涉及一种碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法。该方法包括:在电感耦合等离子体ICP的工艺腔室中,在设定的第一工艺环境下,采用设定的射频功率,对碲镉汞材料进行刻蚀,得到接触孔;在ICP的工艺腔室中,在设定的第二工艺环境下,采用零射频,对接触孔处理预设时间。借助于本发明的技术方案,可以解决单步干法刻蚀工艺后P型接触孔反型严重问题,避免湿法腐蚀工艺在小尺寸接触孔上的各向异性差、钻蚀严重、腐蚀深度重复性差和均匀性不好等问题,有效的降低了刻蚀引入的表面损伤,同时又能实现较高的刻蚀速率和较好的刻蚀孔形貌。
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