[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置无效

专利信息
申请号: 201380012563.6 申请日: 2013-02-20
公开(公告)号: CN104145328A 公开(公告)日: 2014-11-12
发明(设计)人: 朝日升;野中敏央;新关彰一 申请(专利权)人: 东丽株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;马妮楠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.半导体装置的制造方法,是经由热固性粘接剂层将具有凸块的半导体芯片焊接连接于具有对应于所述凸块的电极的基板的半导体装置的制造方法,依次具有下述工序:

工序(A),预先在半导体芯片的具有凸块的面上,形成热固性粘接剂层,

工序(B),将形成有热固性粘接剂层的半导体芯片的热固性粘接剂层侧的面与基板合在一起,使用加热工具进行预压接,得到预压接层叠体,

工序(C),使所述加热工具与所述预压接层叠体的半导体芯片侧的面之间,存在导热系数为100W/mK以上的保护膜,使用加热工具在使半导体芯片与基板之间的焊料熔融的同时,使热固性粘接剂层固化。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,是经由热固性粘接剂层将具有凸块及贯通电极的多个半导体芯片、与具有对应于所述凸块的电极的基板焊接连接的半导体装置的制造方法,依次具有下述工序:

工序(A’),预先在多个半导体芯片的各自的具有凸块的面上,形成热固性粘接剂层,得到多个形成有热固性粘接剂层的半导体芯片;

工序(B’),经过将1个形成有热固性粘接剂层的半导体芯片的热固性粘接剂层侧的面与基板合在一起,使用加热工具进行预压接的工序,及1次以上的使所述半导体芯片的半导体芯片侧的面与形成有热固性粘接剂层的其他半导体芯片的热固性粘接剂层侧的面合在一起,使用加热工具进行预压接的工序,而得到多级预压接层叠体;

工序(C’),使所述加热工具与所述多级预压接层叠体中的半导体芯片侧的面之间,存在导热系数为100W/mK以上的保护膜,使用加热工具在使多个半导体芯片之间及半导体芯片与基板之间的焊料熔融的同时,使热固性粘接剂层固化。

3.半导体装置的制造方法,其中,在工序(A)中,通过预先在半导体芯片的具有凸块的面上层压热固性粘接剂膜而形成热固性粘接剂层。

4.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法,其中,在工序(A’)中,通过预先在多个半导体芯片的各自的具有凸块的面上层压热固性粘接剂膜而形成热固性粘接剂层。

5.如权利要求1~4中任一项所述的半导体装置的制造方法,其中,所述热固性粘接剂层含有绝缘性无机填料。

6.如权利要求1~5中任一项所述的半导体装置的制造方法,其中,所述保护膜是铝箔或铜箔。

7.如权利要求1~6中任一项所述的半导体装置的制造方法,其中,所述基板是硅基板。

8.如权利要求1~7中任一项所述的半导体装置的制造方法,其中,以卷对卷的方式供给所述保护膜。

9.半导体装置的制造装置,是用于将基板与半导体芯片接合来制造半导体装置的装置,具有:

接合装置,具有用于设置基板的台及加热工具,所述加热工具具有将半导体芯片加热·加压的机构,

供给卷轴,供给导热系数为100W/mK以上的保护膜,和

卷绕卷轴,卷绕所述保护膜,

所述半导体装置的制造装置被配置为,从供给卷轴供给的保护膜通过加热工具与台之间,被卷绕在卷绕卷轴上。

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  • 2015-02-10 - 2019-10-25 - H01L21/60
  • 本发明涉及一种放电检查装置、打线装置以及放电检查方法。放电检查装置(50)是检查对炬电极(48)与金属线(42)之间施加电压而进行放电的打线装置的放电的放电检查装置(50),且包括:电流检测部(53),检测流经金属线(42)的放电电流;计时部(56b),计测自施加电压至检测出放电电流为止的放电检测时间;以及放电判定部(57a),基于放电检测时间而判定放电是否异常。本发明可检测放电异常。
  • 半导体装置用接合线-201680070327.3
  • 小田大造;大壁巧;榛原照男;山田隆;小山田哲哉;宇野智裕 - 日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
  • 2016-09-23 - 2019-10-25 - H01L21/60
  • 本发明的课题是提供实现球接合部的充分且稳定的接合强度,即使在低环时也不会发生颈损伤,倾斜特性良好,FAB形状良好的以Ag为主成分的半导体装置用接合线。为了解决所述课题,本发明涉及的半导体装置用接合线,其特征在于,含有总计为0.031原子%~0.180原子%的Be、B、P、Ca、Y、La、Ce中的一种以上,还含有总计为0.05原子%~5.00原子%的In、Ga、Cd中的一种以上,余量包含Ag和不可避免的杂质。由此,能够成为能充分地形成球部接合界面的金属间化合物层来确保球接合部的接合强度,并且即使在低环时也不会发生颈损伤,倾斜特性良好,FAB形状良好的半导体装置用接合线。
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