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公布日期
2020-02-14 公布专利
2020-02-11 公布专利
2020-02-07 公布专利
2020-02-04 公布专利
2020-01-31 公布专利
2020-01-24 公布专利
2020-01-21 公布专利
2020-01-17 公布专利
2020-01-14 公布专利
2020-01-10 公布专利
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用于放大射频信号的装置和方法有效

申请号: CN201380012275.0 文献下载
申请日: 2013-02-20 公开/公告日: 2019-12-10
公开/公告号: CN104145191B 主分类号: G01R33/36
申请/专利权人: 皇家飞利浦有限公司
发明/设计人: 曾克秋;Y·刘;T·王
分类号: G01R33/36
搜索关键词: 用于 放大 射频 信号 装置 方法
 
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地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
代理公司: 72002 永新专利商标代理有限公司 代理人: 刘瑜;王英
【权利要求书】:

1.一种用于放大射频(RF)信号的装置,包括:

磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10),其用于将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号;

至少两组MOSFET,每组包括至少一个MOSFET(30、40),所述至少两组MOSFET分别用于以推拉方式放大所述平衡信号;

磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60),其用于将经放大的平衡信号转换成不平衡格式;

磁不敏感输入匹配网络(20、20’),其用于将所述至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配;

磁不敏感输出匹配网络(50、50’),其用于将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配;以及

磁不敏感保护电路(70、70’),其用于保护直流(DC)电源不受经放大的平衡信号的影响,所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET。

2.如权利要求1所述的装置,其中,每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET(35、45),并且所述装置还包括:

至少两个分裂器(32、42),其用于分割所述平衡信号并将所分割的平衡信号供应到所述磁不敏感输入匹配网络(20、20’)以使得所分割的平衡信号中的每个能够与所述两组MOSFET中的对应MOSFET(35、45)的所述输入阻抗相匹配。

3.如权利要求1所述的装置,其中,每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET(35、45);并且所述两个或更多个MOSFET(35、45)的栅极、漏极分别是并联连接的。

4.如权利要求1所述的装置,其中,所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)和所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)中的任何一个是平面磁不敏感平衡-不平衡转换器

5.如权利要求4所述的装置,其中,所述平面磁不敏感平衡-不平衡转换器的顶层上的线圈的主体具有处于所述顶层上的所述线圈的两个条带之间的狭缝的扩展部分。

6.如权利要求1所述的装置,其中,所述磁不敏感输入匹配网络(20、20’)包括至少两组微带线(A、B),每组对应于所述至少两组MOSFET中的一组,以用于将所述至少两组MOSFET的所述输入阻抗分别与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的所述输出阻抗进行匹配。

7.如权利要求1所述的装置,其中,所述磁不敏感输出匹配网络(50、50’)包括至少两组微条带线(C、D),每组对应于所述至少两组MOSFET中的一组,以用于将所述至少两组MOSFET的所述输出阻抗分别与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的所述输入阻抗进行匹配。

8.如权利要求7所述的装置,其中,所述磁不敏感保护电路(70、70’)包括分别对应于所述至少两组MOSFET的至少两个条带线(E、F)和至少两组电容器(C1、C2);对应于相同组MOSFET的所述条带线(E或F)、所述电容器(C1或C2)以及所述微条带线(C或D)被确定尺寸以形成RF接地,从而使得经放大的平衡信号能够被馈送至所述RF接地。

9.如权利要求8所述的装置,其中,所述磁不敏感保护电路(70、70’)还包括分别连接所述至少两组电容器(C1、C2)和所述DC电源的至少两个线缆,每个线缆与所述条带线(E或F)、所述电容器(C1或C2)以及所述微条带线(C或D)一起操作以用于从所述DC电源阻挡经放大的平衡信号。

10.如权利要求6、7和8中的任一项所述的装置,其中,所述微条带线(A、B、C、D)和/或所述条带线(E、F)能够通过印刷电路板(PCB)技术形成。

11.一种磁共振成像(MRI)系统,包括根据权利要求1至10中的任一项所述的用于放大射频(RF)信号的装置。

12.一种放大射频(RF)信号的方法,包括:

由磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号;

由磁不敏感输入匹配网络(20、20’)将至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配;

由所述至少两组MOSFET以推拉方式放大所述平衡信号,所述至少两组MOSFET的每组包括至少一个MOSFET(30、40);

由磁不敏感输出匹配网络(50、50’)将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配;

由所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)将经放大的平衡信号转换成不平衡格式;并且

其中,由磁不敏感保护电路(70、70’)从直流(DC)电源阻挡经放大的平衡信号,所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET。

13.如权利要求12所述的方法,其中,每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET(35、45),并且所述方法还包括:

由至少两个分裂器(32、42)分割所述平衡信号;并且

将所分割的平衡信号供应到所述磁不敏感输入匹配网络(20、20’)以使得所分割的平衡信号中的每个能够与所述两组MOSFET中的对应MOSFET(35、45)的所述输入阻抗相匹配。

14.如权利要求12所述的方法,其中,每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET(35、45);并且所述两个或多个MOSFET(35、45)的栅极、漏极分别是并联连接的。

15.如权利要求12所述的方法,其中,所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)、所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)、磁不敏感输入匹配网络(20、20’)、磁不敏感输出匹配网络(50、50’)以及磁不敏感保护电路(70、70’)中的任何一个能够通过PCB技术形成。

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