[实用新型]用于光学和电子器件的多陶瓷层图案化结构基板

说明书

技术领域

本实用新型属于电子技术领域，更具体的说，本实用新型涉及一种用于光学和电子器件的多陶瓷层图案化结构基板。

背景技术

用于光学和/或电子的器件，如集成电路或者激光二极管均需要利用热传导材料来进行传热。为此需要采用金属基体，如铜基体，并且在所述光学和/或电子的器件与金属基体之间经常需要电隔离。而有些陶瓷材料具有较高的热传导效率并且对电是绝缘的。为此经常在光学和/或电子的器件与金属基体之间使用高导热的陶瓷材料作为用于提供电隔离而又仍然维持热传导性的中间材料。为了提供从光学和/或电子的器件向金属基体的高效传热，在陶瓷与金属基体之间提供良好的热界面是必需的。

而且在越来越多的应用中，需要将多个光学和/或电子器件耦合到具有电隔离和导热的功能结构中。而为了容纳多个光学和/或电子器件，需要使用更大尺寸的基体材料，例如需要使用更大的金属基体以及陶瓷板。然而如果将所述多个光学和/或电子器件耦合到单一界面的陶瓷组件上的时候，则各耦合的光学和/或电子器件之间将会导致热传递困难，而且可能会导致电性传导而发生短路。为此，需要在多个光学和/或电子器件之间提供电隔离和热隔离。

实用新型内容

为了解决现有技术中的上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种用于光学和电子器件的多陶瓷层图案化结构基板。

为了实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：

本实用新型所述的用于光学和电子器件的多陶瓷层图案化结构基板，包括金属基体，并且在所述金属基体上依次形成有耐压陶瓷层和导热陶瓷层；所述耐压陶瓷层和导热陶瓷层之间具有过渡层，并通过蚀刻所述导热陶瓷层以及过渡层形成多个隔离基座。

其中，所述耐压陶瓷层的厚度为10-500 um；所述耐压陶瓷层选自氧化铝，氮氧化铝或碳化硅中的一种。所述的耐压陶瓷层能够防止高电压击穿的问题，提高所述结构的安全性和稳定性。

其中，所述导热陶瓷层的厚度为10-500 um；并且选自AlN、 AlON或SiN。所述的导热陶瓷层能够实现横向和径向的热传导，解决光学和/或电子部件的散热问题。

其中，所述金属基板与耐压陶瓷层之间具有钎焊层。

本实用新型的技术方案相比现有技术具有以下有益效果：

（1）本实用新型所述的用于光学和电子器件的多陶瓷层图案化结构基板，具有更大尺寸的金属基板，并且可以容纳多个光学和/或电子器件，而且所述的多个光学和/或电子器件之间具有良好的电隔离和热隔离。

（2）本实用新型所述的用于光学和电子器件的多陶瓷层图案化结构基板中，所述的导热陶瓷层能够实现径向有效的热传导和转移，解决光学和/或电子部件的散热问题；所述耐压陶瓷层能够防止高电压击穿的问题，提高所述结构的安全性和稳定性。

（3）本实用新型所述的用于光学和电子器件的多陶瓷层图案化结构基板中，根据需要可以在所述隔离基座上形成金属电路层，所述金属电路层可以通过在导热陶瓷层上沉积金属层，然后干蚀刻形成；也可以在隔离基座形成后通过沉积或涂覆形成。

附图说明

   图1 为实施例1所述用于光学和电子器件的多陶瓷层图案化结构基板的示意图。

图2 为实施例2所述用于光学和电子器件的多陶瓷层图案化结构基板的示意图。

具体实施方式

实施例1

如附图1所示，本实施例所述的用于光学和电子器件的多陶瓷层图案化结构基板，包括铝或铝合金基体10，并且在所述金属基体上依次形成有SiC耐压陶瓷层20和AlN导热陶瓷层40；所述SiC耐压陶瓷层20和AlN导热陶瓷层40之间具有铝过渡层30，并通过蚀刻所述AlN导热陶瓷层40以及铝过渡层30形成多个隔离基座50。本实施例所述的结构可以用于诸如LED等的光学器件或者线路板等电子器件，并且可以在单个的金属基板上密集布设多个光学和/或电子器件，而不必担心所述多个光学和/或电子器件之间的热传导和电传导。

实施例2