[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成相邻的第一鳍部和第二鳍部，所述第一鳍部用于形成第一类型的晶体管，第二鳍部用于形成第二类型的晶体管；

形成横跨所述第一鳍部和第二鳍部的栅极，所述栅极覆盖所述第一鳍部的顶部和侧壁，第二鳍部的顶部和侧壁；

由下至上依次形成覆盖所述栅极和衬底的第一保护层、第一刻蚀停止层、第二保护层、第二刻蚀停止层；

在第二刻蚀停止层上形成图案化的掩膜层，覆盖第二鳍部上的第二刻蚀停止层；

以所述图案化的掩膜层为掩膜，去除第一鳍部上的第二刻蚀停止层，之后在同一工艺中去除所述图案化的掩膜层和第一鳍部上的第二保护层；

利用第一刻蚀去除第一鳍部上的第一刻蚀停止层，之后利用第二刻蚀去除所述第一鳍部上的第一保护层，露出所述第一鳍部；

加热所述衬底，之后对所述栅极两侧的第一鳍部进行离子注入，形成第一类型晶体管的源极和漏极；

去除覆盖所述第二鳍部的第一刻蚀停止层和第一保护层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一保护层和第二保护层的材料为非晶碳，所述掩膜层的材料为光刻胶。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述形成第一保护层和第二保护层的方法为沉积或旋涂。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀停止层的材料为氧化硅、氮化硅、多晶硅或金属。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，利用第一刻蚀去除第一鳍部上的第一刻蚀停止层的同时还去除第二鳍部上的第二刻蚀停止层。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除第一鳍部上的第二刻蚀停止层的刻蚀方法为第一刻蚀。

7.如权利要求5或6所述的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀为第一等离子体干法刻蚀或第一湿法腐蚀，所述第一刻蚀停止层的材料为氧化硅，所述第一等离子体干法刻蚀的刻蚀气体的化学式为C_xHyF_z或C_xF_z，所述第一湿法腐蚀的腐蚀剂为氢氟酸。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，利用第二刻蚀去除所述第一鳍部上的第一保护层的同时还去除第二鳍部上的第二保护层。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在同一工艺中去除所述图案化的掩膜层和第一鳍部上的第二保护层的方法为第二刻蚀。

10.如权利要求8或9所述的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀为第二等离子体干法刻蚀，所述第二等离子体干法刻蚀的刻蚀气体包含氧气。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述第二等离子体干法刻蚀的刻蚀气体为二氧化硫和氧气的混合气体，所述二氧化硫与所述氧气的体积比为1:10～10:1。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除覆盖所述第二鳍部的第一刻蚀停止层和第一保护层包括：

采用第一刻蚀去除覆盖所述第二鳍部的第一刻蚀停止层；

去除第一刻蚀停止层后，采用第二刻蚀去除覆盖第二鳍部上的第一保护层。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀停止层的厚度为20～100埃。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的厚度为500～2000埃。

15.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述加热所述衬底，所述加热温度大于等于300摄氏度。

16.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一类型晶体管为NMOS鳍式场效应晶体管，所述离子注入为磷离子、砷离子或者锑离子注入。

17.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一类型晶体管为PMOS鳍式场效应晶体管，所述离子注入为硼离子或者镓离子注入。