[发明专利]一种LED芯片及其加工工艺

权利要求书

1.一种LED芯片，包括依次设置的衬底层、N型氮化物层、量子阱层和P型氮化物层，还包括N金属扩展电极、P电极焊盘和N电极焊盘，其特征在于所述P电极焊盘和N电极焊盘分别设置在P型氮化物层外，所述P电极焊盘和N电极焊盘设置在同一高度上，所述N金属扩展电极的部分或全部与N型氮化物层直接接触。

2.一种如权利要求1所述LED芯片的加工工艺，包括外延基片的准备：在衬底层之上依次制作N型氮化物层、量子阱层和P型氮化物层；其特征在于还包括以下步骤：

1）对外延片基片上的P型氮化物层进行刻蚀，去除外延片基片上部分区域的P型氮化物层和量子阱层，裸露出N型氮化物层；

2）在设计的P型电极焊盘区域下面制作电流阻挡层：使用PECVD的生长方法在基片表面生长绝缘物质；然后刻蚀去部分绝缘物质，保留P型电极焊盘区域下面绝缘物质作为电流阻挡层，保留N型电极焊盘和扩展电极与P型氮化物层直接接触的绝缘物质作为绝缘层，保留P型氮化物和量子阱侧壁的绝缘物质作为绝缘层；

3）使用蒸镀或溅射的方法在步骤2所得的基片表面沉积ITO薄膜，然后采用光刻的方法制成电流扩展层，并进行合金，使得ITO薄膜与P型氮化物层形成欧姆接触；

4）采用电子束蒸发的方法在步骤3所得基片表面蒸镀金属层，剥离形成P型电极焊盘、N型电极焊盘和N金属扩展电极。

3.根据权利要求2所述加工工艺，其特征在于步骤4）中的所述金属层为Al、Ni/Ag、Ni/Ag/Ti/Au、Ni/Al/Ti/Au、Ni/Ag/Ti/Pt/Au、Ni/Al/Ti/Pt/Au、Ni/Ag/Ni/Au、Ni/Al/Ni/Au 或 Cr/Al/Ti/Au中的任意一种。

4.根据权利要求2所述加工工艺，其特征在于所述绝缘物质的厚度为2000?。

5. 根据权利要求2或4所述加工工艺，其特征在于所述绝缘物质为硅的氧化物层，或硅的氮化物层，或硅的氮氧化物层，或铝的氧化物层。

6.根据权利要求2所述加工工艺，其特征在于所述沉积ITO薄膜的厚度为1200 ?。

7.根据权利要求2所述加工工艺，其特征在于所述金属Cr/Al/Ti/Au的总厚度为20000?。