[发明专利]基于涡街与压电薄膜的氢气传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310237999.7 申请日: 2013-06-14
公开(公告)号: CN103336092A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 刘伟庭;陈然;傅新 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01N33/00 分类号: G01N33/00;G01F1/32
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 周烽
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 基于 压电 薄膜 氢气 传感器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于涡街与压电薄膜的氢气传感器,其特征在于:它包括一外筒壁(2),在外筒壁(2)前端固定一涡街发生器(1),后端对称安装氢敏压电传感单元(3)和对照压电传感单元(4);当气体流动时,涡街发生器(1)产生气体涡街(11),氢敏压电传感单元(3)和对照压电传感单元(4)在气体涡街(11)影响下受迫振动产生信号;当氢气浓度变化时,氢敏压电传感单元(3)表面复合压电薄膜固有频率变化导致氢敏压电传感单元(3)和对照压电传感单元(4)输出信号相位差发生变化,根据输出信号相位差值测得氢气浓度;同时,当气体流量发生变化时,氢敏压电传感单元(3)与对照压电传感单元(4)输出信号频率发生变化,根据输出信号频率得到气体流量。

2.根据权利要求1所述的一种基于涡街与压电薄膜的氢气传感器,其特征在于:氢敏压电传感单元(3)由氢敏压电传感单元基底(8)与复合压电薄膜构成,其中复合压电薄膜分为3层,Pd氢敏感层(7)、PVDF压电层(6)与Cu对照电极层(5),Pd氢敏感层(7)与Cu对照电极层(5)分别溅射在PVDF压电层(6)两面, Cu对照电极层(5)粘贴在氢敏压电传感单元基底(8)上;对照压电传感单元(4)由对照压电传感单元基底(9)与复合压电薄膜构成,其中复合压电薄膜分为3层,Pd氢敏感层(7)、PVDF压电层(6)与Cu对照电极层(5),Pd氢敏感层(7)与Cu对照电极层(5)分别溅射在PVDF压电层(6)两面, Pd氢敏感层(7)粘贴在对照压电传感单元基底(9)上;氢敏压电传感单元(3)与对照压电传感单元(4)输出信号均为PVDF压电层(6)两端由于压电效应产生的信号。

3.一种权利要求1所述的基于涡街与压电薄膜的氢气传感器的制备方法,其特征在于:该方法的具体步骤如下:

(1)室温下,将二甲基甲酰胺(DMF)与丙酮按照质量比1:1混合作为溶剂,将PVDF-TrFE粉末加入溶剂中,搅拌混合得到质量分数15-20%的溶液;

(2)启动旋转涂覆设备;从旋转涂覆设备顶盖处向旋转涂覆设备的腔内注入溶液,制备5-25um的PVDF压电层(6)薄膜;

(3)小心取下制得的PVDF压电层(6)薄膜,将其送入磁控溅射腔内压紧;首先在PVDF压电层(6)一面溅射Pd,形成100-150nm的Pd氢敏感层(7),达到指定厚度后翻转对另一面进行溅射Cu,形成100-150nm的Cu对照电极层(5);溅射完成后,取出冷却干燥,通过对两面施加电压极化;

(4)取极化后薄膜靠近中心厚度均匀部分,分割得到两块长10-20mm宽10-20mm相同大小的矩形薄膜;

(5)将矩形薄膜的Cu对照电极层(5)粘贴在氢敏压电传感单元基底(8)上,PDMS封装边缘,得到氢敏压电传感单元(3);将矩形薄膜的Pd氢敏感层(7)粘贴在对照压电传感单元基底(9)上,PDMS封装边缘,得到对照压电传感单元(4);

(6)将涡街发生器(1)安装在外筒壁(2)前端,将氢敏压电传感单元(3)与对照压电传感单元(4)安装在外筒壁(2)后端对称位置,完成基于涡街与压电薄膜的氢气传感器制备。

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