[发明专利]一种金属线成膜工艺方法有效
| 申请号： | 201310227238.3 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN104241191B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;费强;李晓远 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属线 工艺 方法 | ||
1.一种金属线成膜工艺方法，其特征在于，主要包含以下步骤：
1)在衬底上形成第一层阻挡层；
2)在第一层阻挡层上形成第一层金属层；
3)刻蚀掉一部分第一层金属层；
4)依次形成第二层金属层和第二层阻挡层；所述形成第二层金属层和第二层阻挡层，主要采用物理溅射成膜工艺，第二层金属层成膜厚度为溅射温度为10～500℃，压力在1～10torr：第二层阻挡层材料为Ti与TiN的复合材料，第二层阻挡层的成膜厚度为溅射温度为10～500℃，压力在1～10torr；
5)图形刻蚀形成金属线。
2.根据权利要求1所述的一种金属线成膜工艺方法，其特征在于，在步骤1)中，所述第一层阻挡层为TiN或者Ti与TiN的复合材料，其成膜厚度为
3.根据权利要求1所述的一种金属线成膜工艺方法，其特征在于，在步骤2)中，所述在第一层阻挡层上形成第一层金属层，主要采用物理溅射成膜工艺，成膜厚度为溅射温度为10～500℃，压力在1～10torr。
4.根据权利要求1所述的一种金属线成膜工艺方法，其特征在于，在步骤3)中，所述刻蚀第一层金属层的方法选自干法刻蚀、湿法刻蚀中的一种或者几种，刻蚀厚度为
5.根据权利要求4所述的一种金属线成膜工艺方法，其特征在于，在步骤3)中，刻蚀前后第一层金属层的膜厚比为100：90-1000：999；所述刻蚀第一层金属层的方法采用干法刻蚀中的等离子刻蚀方法，除去表面的金属氧化膜，刻蚀温度为10～500℃，刻蚀压力在1～10torr；该步骤通过刻蚀方式改善第一层金属层表面的晶体形貌。
6.根据权利要求1所述的一种金属线成膜工艺方法，其特征在于，在步骤5)中，所述图形刻蚀的刻蚀方法包括干法刻蚀和湿法刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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