[发明专利]铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜、制备方法及其应用无效
| 申请号： | 201310168982.0 | 申请日： | 2013-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN104140818A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;钟铁涛 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80;C09K11/79;H05B33/14 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 三族钪 硅酸盐 发光 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【说明书】：
【技术领域】
本发明涉及一种铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的薄膜，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显示器的铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜，仍未见报道。
【发明内容】
基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜、其制备方法该铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜电致发光器件及其制备方法。
一种铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜，其化学式为Me3Sc2Si3O12:xCe3+,其中，0.01≤x≤0.05，Me3Sc2Si3O12是基质，铈元素是激活元素，Me为Al,Ga,In或Tl。
铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的厚度为80nm～300nm。
一种铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：
将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa；
调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，采用氩气气流的载体，根据Me3Sc2Si3O12:xCe3+各元素的化学计量比将四甲基庚二酮碱土盐、三羰基钪、硅烷和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈通入反应室内，及
然后通入氧气，进行化学气相沉积得到铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜其化学式为Me3Sc2Si3O12:xCe3+的铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜，其中，0.01≤x≤0.05，Me3Sc2Si3O12是基质，铈元素是激活元素，Me为Al,Ga,In或Tl。
四甲基庚二酮碱土盐、三羰基钪、硅烷和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈摩尔比为3：2：3：（0.01～0.05）;
氩气气流量为5～15sccm，氧气气流量为10～200sccm。
一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层的材料为铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜，该铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的化学式为Me3Sc2Si3O12:xCe3+,其中，0.01≤x≤0.05，Me3Sc2Si3O12是基质，铈元素是激活元素，Me为Al,Ga,In或Tl。
一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供具有阳极的衬底；
在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜，该铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的化学式为Me3Sc2Si3O12:xCe3+,其中，0.01≤x≤0.05，Me3Sc2Si3O12是基质，铈元素是激活元素，Me为Al,Ga,In或Tl；
在所述发光层上形成阴极。
在优选的实施例中，所述发光层的制备包括以下步骤：
将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa；
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- 提供一种光电子器件，包括：半导体芯片，其用于在所述光电子器件工作期间发出激发光；荧光材料，其受激发光激发下，发射出波长范围600～1500nm的光。本发明的光电子器件可以发出激发光荧光材料发出红外光及近红外光，并具有较宽的反射光谱以及较高的辐射通量，从而能够应用于LED等光电子器件，以满足目前医学检测、食品成分分析、安全摄像机、虹膜/面部识别、虚拟现实、游戏笔记本和激光探测与测量等的应用需求。
- 光源-201580036249.0
- 汤姆·菲德勒;扬·库柏特;史蒂芬·诺沃提尼;金得里希·胡兹维卡 - 克莱托斯波尔公司
- 2015-05-05 - 2019-06-07 - C09K11/80
- 光源(1)基于激发相干辐射(3)的高效率固态激光源(2)和被加工成用于发射光参数化的光学元件形式的单晶磷光体(4)。单晶磷光体(4)由基于(Ax,Lu1‑x)aAlbO12:Cec通式的石榴石的单晶材料或者由基于B1‑qAlO3:Dq通式的钙钛矿结构的单晶材料产生。高效光源(1)将在例如汽车工业中使用。
- 一种铝酸盐蓝色荧光粉及其制备方法-201610773082.2
- 樊彬;戚世梅;赵文玉 - 内蒙古科技大学
- 2016-08-30 - 2019-05-17 - C09K11/80
- 本发明提供一种铝酸盐蓝色荧光粉及其制备方法。本发明采用喷射共沉淀法，将含有Ba2+、Mg2+、Al3+和Eu3+金属离子的溶液、含有[C2O4]2‑的溶液和pH调节剂以喷射形式在水中混合，共沉淀反应得到铝酸盐前驱体；与助熔剂混合后通过高温固相法得到铝酸盐蓝色荧光粉Ba1‑xEuxMgAl10O17，其中，0
- 一种利用NTC半导体纳米粉体对荧光粉发射光谱的调变方法-201710088404.4
- 苏力宏;高恒;邹子翱 - 西北工业大学
- 2017-02-20 - 2019-05-10 - C09K11/80
- 本发明提供了一种利用NTC半导体纳米粉体对荧光粉激发光谱的调变方法，用便宜的锰钴镍铜铁锌钛钡锆的金属氧化物等负温度系数半导体纳米粉体，替代资源稀缺的稀土，实现对荧光材料发射波长范围的调整；采用原料来源更容易得到、更廉价和更多储量的过渡金属复合氧化物等材料替代资源稀有的部分稀土功能的作用；通过添加原料廉价的负温度系数半导体纳米粉体材料，来实现过去稀土离子或者化合物才能实现的光谱调变，获得需要激发的白光或者高显色性的光源，负温度系数半导体NTC纳米粉体也可以对于280‑650nm波长LED芯片的激发都能起到调节作用。
- 发光增强的硅基氮化物荧光粉及其制备方法-201910090278.5
- 张文涛;周东升;严桂林;陈显飞;邱克辉;张佩聪 - 成都理工大学
- 2019-01-30 - 2019-04-30 - C09K11/80
- 本发明涉及发光增强的硅基氮化物荧光粉及其制备方法，属于发光技术领域。发光增强的硅基氮化物荧光粉，其化学式为M2‑x‑zLnxSi5‑yAlyN8:zCe3+；其中，M为Ca、Sr和Ba中的一种；Ln为Y、La和Gd中的一种；x、y、z为元素摩尔分数，0.02≤x≤0.4；0.02≤y≤0.4；0.01≤z≤0.16。本发明的发光增强的硅基氮化物为黄色荧光粉，发光强度高。
- 一种长余辉发光材料及其制备方法-201710951130.7
- 强耀春;强建科 - 江西理工大学;中南大学
- 2017-10-13 - 2019-04-23 - C09K11/80
- 本发明涉及一种新型稀土长余辉发光材料，其化学通式为：R3‑x‑y‑zBaxLyMzAl5‑a‑b‑xNaQbTxO12，x、y、z、a和b为摩尔系数，0＜x≤2，0.0005≤y≤0.05，0≤z≤2‑x，0.0001≤a≤0.05，1≤b≤4；其中，R为Y、Lu、Gd、La元素中的至少一种；L为Tb、Pr、Ce、Nd、Yb以及Eu元素中的至少一种；M为Mg、Ca、Sr元素中的至少一种；N为Cr、Ni、Fe、Cu、Co、Bi和Hf元素中的至少一种。Q为Sc和Ga元素中的一种或两种，T为Si和Ge元素中的一种或两种。本发明提供的长余辉发光材料在紫外光和蓝光区域都有较强的激发峰，被激发后都能发出很强的可见光，因此在弱光照明领域有很大的应用潜力。本发明的长余辉发光材料的制备工艺流程简单，制造成本低，容易产业化。
- 一种LED氮化物红色荧光粉及其制备方法-201610977764.5
- 杨志平;魏东;赵金鑫 - 河北利福光电技术有限公司
- 2016-11-08 - 2019-04-23 - C09K11/80
- 本发明公开了一种LED氮化物红色荧光粉及其制备方法，所述荧光粉的化学通式为M1‑z‑r/2Al1‑x‑yScxYySiN3：zR2+，rAg+；式中，M为Ca、Sr、Ba、Mg、Zn中的至少一种，且Ca是必须的；R为Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的至少一种，且Eu是必须的；0.001≤z≤0.14，0.001≤r≤0.1，0.005≤x≤0.1，0.005≤y≤0.1。荧光粉的制备方法为：按照化学通式中各元素的摩尔比称取原料及助熔剂，然后进行分段烧结，再经降温后以及后处理即得荧光粉成品。本发明荧光粉发光效率高，热稳定性和抗光衰性能好，产品收率也高，其可被紫外光、紫光和蓝光有效激发，发射出波长为610‑750nm的光。
- 铕掺杂的镓酸盐基红色荧光粉及其制备方法-201910053053.2
- 石建新;张子旺;李俊豪;李均怡;吴明娒 - 中山大学
- 2019-01-21 - 2019-04-19 - C09K11/80
- 本发明公开了一种铕掺杂的镓酸盐基红色荧光粉及其制备方法。其化学式为：M2La1‑xGaO5:xEu3+，其中M为碱土金属格位，x为掺杂的三价铕的摩尔比系数，取值范围为：0.001≤x≤1.000。本发明的红色荧光粉具有较好的物理及化学稳定性，在常温下能够长时间保持较高的发光强度，在升高一定温度的条件下依然能够保持一定的发光强度。同时该红色荧光粉的制备条件无需使用惰性气氛保护或使用还原气氛进行还原，使用原料价格较低，对生产条件及设备要求不高，适合大规模商业化生产。本发明的红色荧光粉能够被390nm左右的近紫外光激发，能够与商业近紫外LED芯片配合使用，或是与蓝色及绿色荧光粉混合，制备白光LED照明设备，在照明、显示等领域都有较好的应用前景。
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