[发明专利]微机电系统与集成电路的集成芯片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310168305.9 申请日: 2013-05-09
公开(公告)号: CN104140072A 公开(公告)日: 2014-11-12
发明(设计)人: 李刚;胡维;梅嘉欣;庄瑞芬 申请(专利权)人: 苏州敏芯微电子技术有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 路阳
地址: 215006 江苏省苏州市苏州工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 微机 系统 集成电路 集成 芯片 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种微机电系统与集成电路的集成芯片,包括第一芯片,所述第一芯片包括衬底、设置在所述衬底上且具有可动敏感部的微机电系统器件层、设置在所述可动敏感部下方的第一引线层、以及设置在所述微机电系统器件层上的第一电气键合点,其特征在于:所述微机电系统与集成电路的集成芯片还包括设置在第一芯片上且具有IC集成电路的第二芯片、以及设置在第一芯片上的电气连接层,所述第二芯片包括第二引线层、以及与所述第一电气键合点键合的第二电气键合点,所述第二引线层和第一引线层对称设置在所述可动敏感部的两侧,所述第一芯片还包括用以将第一电气键合点与电气连接层电气连接的电气连接部。

2.根据权利要求1所述的微机电系统与集成电路的集成芯片,其特征在于:所述第一芯片还包括设置于所述衬底内且围设在电气连接部外围的隔离部。

3.根据权利要求2所述的微机电系统与集成电路的集成芯片,其特征在于:所述隔离部包括贯通衬底的通孔、位于所述通孔内的多晶硅层和围设在所述多晶硅层外围的氧化硅层。

4.根据权利要求2所述的微机电系统与集成电路的集成芯片,其特征在于:所述隔离部包括贯通衬底的通孔和填充所述通孔的氧化硅。

5.根据权利要求3或4所述的微机电系统与集成电路的集成芯片,其特征在于:所述衬底包括朝向所述第二芯片的正面和相对所述正面设置的背面,所述电气连接层设置在所述衬底的背面。

6.根据权利要求5所述的微机电系统与集成电路的集成芯片,其特征在于:所述隔离部自所述衬底的正面朝所述衬底的背面延伸贯通所述衬底。

7.根据权利要求2所述的微机电系统与集成电路的集成芯片,其特征在于:所述隔离部呈环形。

8.根据权利要求1所述的微机电系统与集成电路的集成芯片,其特征在于:所述第二电气键合点位于所述可动敏感部的外侧。

9.根据权利要求8所述的微机电系统与集成电路的集成芯片,其特征在于:所述第一芯片上还包括设置于所述微机电系统器件层上且位于所述第一电气键合点外侧的第一封装环,所述第二芯片还包括与所述第一封装环键合并位于所述第二电气键合点外侧的第二封装环。

10.根据权利要求9所述的微机电系统与集成电路的集成芯片,其特征在于:所述第一电气键合点和第一封装环由锗材料所形成,与由锗材料所形成的第一电气键合点和第一封装环分别键合的所述第二电气键合点和第二封装环由铝材料所形成;或者,所述第一电气键合点和第一封装环由金材料所形成,与由金材料所形成的第一电气键合点和第一封装环分别键合的所述第二电气键合点和第二封装环由多晶硅材料所形成。

11.一种微机电系统与集成电路的集成芯片的制造方法,其特征在于:所述方法包括如下步骤:

S1:提供第一芯片,所述第一芯片包括具有相对设置的正面和背面的第一衬底、设置在所述第一衬底上并自衬底的正面朝背面延伸形成的隔离部、形成在第一衬底正面且具有可动敏感部的微机电系统器件层、形成在所述可动敏感部下方的第一引线层、设置于所述微机电系统器件层上的第一电气键合点、以及形成在隔离部内且与第一电气键合点电气连接的电气连接部;

S2:提供具有IC集成电路的第二芯片,所述第二芯片包括第二衬底、设置在第二衬底上的第二引线层、以及设置在所述第二衬底上的第二电气键合点;

S3:将所述第一电气键合点和第二电气键合点键合,所述第二引线层和第一引线层对称设置在所述可动敏感部的两侧;

S4:将所述S3步骤键合后的第一芯片的第一衬底于背面进行减薄操作以露出隔离部;

S5:在所述S4步骤减薄后的第一衬底的背面上形成与外界电路电气连接的电气连接层。

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  • 一种MEMS催化燃烧传感器及其加工方法-201910257639.0
  • 王宣诏 - 深圳邺诚科技有限公司
  • 2019-04-01 - 2019-07-05 - B81B7/02
  • 本发明属于传感器技术领域,具体涉及一种MEMS催化燃烧传感器及其加工方法。所述一种MEMS催化燃烧传感器,包括第一薄膜部分、第二薄膜部分,所述第二薄膜部分的两侧分别通过第一多孔磁性层对称连接所述第一薄膜部分;所述第一薄膜部分包括硅基底,以及以硅基底为衬底依次设置的第一氮化硅薄膜层、第一氧化硅薄膜层、第一加热敏感电阻层;所述第二薄膜部分包括依次设置的第二氮化硅薄膜层、第二氧化硅薄膜层、第二加热敏感电阻层、贵金属催化层;具有抗中毒、响应迅速和信噪比高的优点。
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