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公布日期
2020-03-27 公布专利
2020-03-24 公布专利
2020-03-20 公布专利
2020-03-17 公布专利
2020-03-13 公布专利
2020-03-10 公布专利
2020-03-06 公布专利
2020-03-03 公布专利
2020-02-28 公布专利
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一种波长为343nm的全固态脉冲紫外激光器在审

申请号: CN201310162535.4 文献下载
申请日: 2013-05-07 公开/公告日: 2014-11-12
公开/公告号: CN104143759A 主分类号: H01S3/16
申请/专利权人: 许洋
发明/设计人: 姜培培;沈永行;许洋
分类号: H01S3/16
搜索关键词: 一种 波长 343 nm 固态 脉冲 紫外 激光器
 
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【权利要求书】:

1.一种波长为343nm的全固态脉冲紫外激光器由半导体激光泵源1、耦合光学系统2、激光输入镜3、掺镱的钇铝石榴石Yb:YAG激光晶体4、调Q开关5、激光输出镜6、三倍频晶体7、二倍频晶体8和端面激光全反镜9组成。半导体激光泵源1、耦合光学系统2、激光输入镜3、掺镱的钇铝石榴石Yb:YAG激光晶体4、调Q开关5、激光输出镜6、三倍频晶体7、二倍频晶体8和端面激光全反镜9在空间上顺次排列,半导体激光泵源1、耦合光学系统2、激光输入镜3、掺镱的钇铝石榴石Yb:YAG激光晶体4、调Q开关5、三倍频晶体7、二倍频晶体8和端面激光全反镜9的通光光轴相互对准,激光输出镜6与系统通光光轴成一定角度放置。

2.另一种波长为343nm的全固态脉冲紫外激光器由半导体激光泵源1、耦合光学系统2、激光输入镜3、掺镱的钇铝石榴石Yb:YAG激光晶体4、调Q开关5、激光输出镜6、三倍频晶体7、二倍频晶体8和端面激光反射锥10组成;半导体激光泵源1、耦合光学系统2、激光输入镜3、掺镱的钇铝石榴石Yb:YAG激光晶体4、调Q开关5、激光输出镜6、三倍频晶体7、二倍频晶体8和端面激光反射锥10在空间上顺次排列,半导体激光泵源1、耦合光学系统2、激光输入镜3、掺镱的钇铝石榴石Yb:YAG激光晶体4、调Q开关5、三倍频晶体7、二倍频晶体8和端面激光反射锥10的通光光轴相互对准,激光输出镜6与系统通光光轴成一定角度放置。

3.根据权利要求1或2中,所述的半导体激光泵源1是一种波长在940nm附近的半导体激光器;所述的激光输入镜3是一种在波长930-950nm高透、在波长1020-1040nm全反的双色激光反射镜。

4.根据权利要求1或2所述的掺镱的钇铝石榴石Yb:YAG激光晶体4中Yb离子掺杂浓度在3%-20%之间。

5.根据权利要求1或2所述的调Q开关5是一种主动调Q的电光开关或声光开关,也可以是一种四价铬离子掺杂的钇铝石榴石晶体,该晶体两侧镀有对1030nm波段的防反膜。

6.根据权利要求1或2所述的激光输出镜6是一种对1030nm高透、对343nm高反的双色激光反射镜。

7.根据权利要求1或2所述的三倍频晶体7是一种切割角度满足515nm和1030nm激光和频时相位匹配关系的三硼酸锂LBO晶体,晶体的两侧镀有对1030nm增透、对515nm和343nm高透的激光防反膜。

8.根据权利要求1或2所述的二倍频晶体8是一种切割角度满足1030nm激光倍频时相位匹配关系的三硼酸锂晶体LBO或磷酸钛氧钾KTP晶体,晶体的两侧镀有对1030nm增透、对515nm和343nm高透的激光防反膜。

9.根据权利要求1所述的端面激光全反镜9是一种对1030nm和515nm波长激光反射率均大于99%的激光高反镜。

10.根据权利要求2所述的端面激光反射锥10是一种表面镀有对1030nm和515nm波长激光防反膜、三个锥面互成90度的定向反射锥体。

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