[发明专利]蚀刻液组合物的应用以及蚀刻方法有效
| 申请号: | 201280070725.7 | 申请日: | 2012-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN104160486B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
| 发明(设计)人: | 田口雄太;齐藤康太 | 申请(专利权)人: | 株式会社ADEKA |
| 主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308;C23F1/16 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 吴宗颐 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蚀刻 组合 应用 以及 方法 | ||
1.蚀刻液组合物,其用于对包括氧化铟系膜和金属系膜的层叠膜一并进行蚀刻,其由包含以下物质的水溶液形成,
(A)高铁离子成分、
(B)氯化氢成分、和
(C)选自下述通式(1)表示的化合物和碳数1~4的直链或支链状醇的至少1种以上的化合物成分,
式(1)中,R1、R3各自独立地表示氢或碳数1~4的直链或支链状烷基,R2表示碳数1~4的直链或支链状亚烷基,n表示1~3的数。
2.权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,通式(1)表示的化合物为选自下述通式(2)表示的化合物或碳数3~4的支链状醇的至少1种以上的化合物成分,
式(2)中,R1、R3各自独立地表示氢或碳数1~4的直链或支链状烷基,n表示1~3的数。
3.权利要求1或2所述的蚀刻液组合物,其中,所述(C)成分至少包含二丙二醇单甲醚或异丙醇。
4.权利要求1~3任一项所述的蚀刻液组合物,其还含有选自稳定剂、(A)、(B)或(C)成分的增溶剂、消泡剂、pH调节剂、比重调节剂、粘度调节剂、润湿性改良剂、螯合剂、氧化剂、还原剂和表面活性剂中的1种或2种以上的添加剂。
5.权利要求4所述的蚀刻液组合物,其中,添加剂为还原剂。
6.蚀刻方法,其为对包括氧化铟系膜和金属系膜的层叠膜一并进行蚀刻的蚀刻方法,作为蚀刻液组合物,其使用权利要求1~5任一项所述的蚀刻液组合物。
7.权利要求6所述的蚀刻方法,其中,氧化铟系膜为选自氧化铟膜、铟-锡氧化物膜以及铟-锌氧化物膜的1层以上的膜。
8.权利要求6或7所述的蚀刻方法,其中,金属系膜为包括金属膜和/或合金膜的1层以上的膜,所述金属膜的金属选自铜、镍、钛、铬、银、钼、铝、铂和钯,所述合金膜含有选自铜、镍、钛、铬、银、钼、铝、铂和钯的2种以上的金属。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社ADEKA,未经株式会社ADEKA许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280070725.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:银微粒烧结体
- 下一篇:衬底处理装置及使用该装置的衬底处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





