[发明专利]制作于玻璃上的压电麦克风有效

专利信息
申请号: 201280048092.X 申请日: 2012-08-22
公开(公告)号: CN103843370A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 菲利普·贾森·斯蒂法诺;戴维·威廉·伯恩斯 申请(专利权)人: 高通MEMS科技公司
主分类号: H04R23/02 分类号: H04R23/02;H04R17/02;H04R19/04;H04R1/22;H04R31/00;H01L41/04;B81B3/00;B81C1/00;G01L1/16;G01H11/06
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 孙宝成
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 制作 玻璃 压电 麦克风
【说明书】:

相关申请案

本申请案主张对标题为“制作于玻璃上的压电麦克风(PIEZOELECTRIC MICROPHONE FABRICATED ON GLASS)”且在2011年8月30日提出申请的第13/221,791号美国专利申请案(代理人案号QUALP053B/101718U2)的优先权,所述专利申请案特此以引用的方式并入。本申请案涉及标题为“制作于玻璃上的压电麦克风(PIEZOELECTRIC MICROPHONE FABRICATED ON GLASS)”且在2011年8月30日提出申请的第13/221,676号美国专利申请案(代理人案号QUALP053A/101718U1),所述专利申请案特此以引用的方式并入。

技术领域

本发明涉及机电系统装置,且更特定来说涉及机电麦克风装置。

背景技术

机电系统包含具有电及机械元件、激活器、换能器、传感器、光学组件(例如,镜)及电子器件的装置。可以各种尺寸制造机电系统,包含但不限于微米尺寸及纳米尺寸。举例来说,微机电系统(MEMS)装置可包含具有介于从约一微米到数百微米或更多的范围内的大小的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包含具有小于一微米的大小(包含,举例来说,小于数百纳米的大小)的结构。机电元件可使用沉积、蚀刻、光刻及/或蚀除衬底及/或所沉积材料层的若干部分或添加若干层以形成电装置及机电装置的其它微加工工艺形成。

一种类型的机电系统装置称作干涉调制器(IMOD)。如本文中所使用,术语干涉调制器或干涉光调制器指使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在一些实施方案中,干涉调制器可包含一对导电板,所述对导电板中的一者或两者可为完全或部分透明及/或反射的,且能够在施加适当电信号后即刻相对运动。在一实施方案中,一个板可包含沉积于衬底上的固定层且另一板可包含与所述固定层分离一气隙的反射隔膜。一个板相对于另一板的位置可改变入射于干涉调制器上的光的光学干涉。干涉调制器装置具有宽广范围的应用,且期望将其用于改进现有产品及创建新产品,尤其是具有显示能力的产品。

另一类型的机电系统装置为麦克风。麦克风为将声波转换成电信号的装置。在一些实施方案中,麦克风的组件与声波相互作用,且此相互作用产生电信号。

发明内容

本发明的系统、方法及装置各自具有数个创新性方面,所述方面中的任一单个方面均不单独地决定本文中所揭示的合意的属性。

本发明中所描述的标的物的一个创新性方面包含一种用于检测声音的设备。所述设备包含玻璃衬底及第一电极层。所述第一电极层的第一部分安置于所述玻璃衬底上,且所述第一电极层的第二部分悬置于所述玻璃衬底上方。第一压电层安置于所述第一电极层上。第二电极层安置于所述第一压电层上。第二压电层安置于所述第二电极层上。第三电极层安置于所述第二压电层上。弹性层安置于所述第三电极层的至少一部分上。所述第一电极层的所述第二部分经配置以在所述第一压电层中产生第一应变且在所述第二压电层中产生第二应变。

本发明中所描述的标的物的另一创新性方面还可实施于一种用于检测声音的设备中,所述设备包含玻璃衬底及第一电极层。所述第一电极层的第一部分安置于所述玻璃衬底上,且所述第一电极层的第二部分从所述玻璃衬底拆分。第一压电层安置于所述第一电极层上。第二电极层安置于所述第一压电层上。弹性层安置于所述第二电极层上。第三电极层安置于所述弹性层上。第二压电层安置于所述第三电极层上。第四电极层安置于所述第二压电层上。所述第一电极层的所述第二部分经配置以在所述第一压电层中产生第一应变且在所述第二压电层中产生第二应变。

本发明中所描述的标的物的另一创新性方面还可实施于一种用于检测声音的设备中,所述设备包含玻璃衬底及第一电极层。所述第一电极层的第一部分安置于所述玻璃衬底上,且所述第一电极层的第二部分从所述玻璃衬底拆分。第一压电层安置于所述第一电极层上。第二电极层安置于所述压电层上。第二压电层安置于所述第二电极层的至少一部分上。所述第一压电层及所述第二压电层包含相同压电材料。所述第一电极层的所述第二部分经配置以在所述第一压电层中产生应变。

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