[发明专利]接合体、功率半导体装置及它们的制造方法

权利要求书

1.一种接合体的制造方法，其中，

在由金属构成的第1被接合部件的接合部形成区域之上配置了包含氧化膜去除剂的溶液之后，将由金属构成的第2被接合部件载置于所述第1被接合部件之上，

通过向所述第1被接合部件的接合部形成区域施加载荷，从而将所述第1被接合部件和所述第2被接合部件相互接合来制造接合体。

2.根据权利要求1所述的接合体的制造方法，其中，

所述氧化膜去除剂是氢氧化钾，

所述溶液中的该氢氧化钾的浓度为2％以下。

3.根据权利要求1或2所述的接合体的制造方法，其中，

所述溶液包含防氧化剂。

4.根据权利要求3所述的接合体的制造方法，其中，

所述防氧化剂是二乙基乙醇胺，

所述溶液中的该二乙基乙醇胺的浓度为2％以下。

5.根据权利要求3或4所述的接合体的制造方法，其中，

所述溶液包含流变控制剂。

6.根据权利要求5所述的接合体的制造方法，其中，

所述流变控制剂是聚丙二醇或聚乙二醇，

所述溶液中的该聚丙二醇或聚乙二醇的浓度为2％以下。

7.根据权利要求1或2所述的接合体的制造方法，其中，

在将所述第1被接合部件和所述第2被接合部件接合之后，通过将接合后的所述第1被接合部件和所述第2被接合部件的接合部暴露于氧化性气氛中，从而制造在所述接合部的周围形成有氧化膜的接合体。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的接合体的制造方法，其中，

至少在所述第1被接合部件形成有将所述接合部形成区域的周围包围的凹部或凸部。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的接合体的制造方法，其中，

在向所述第1被接合部件的所述接合部形成区域施加载荷之际，对所述第1被接合部件及所述第2被接合部件的至少一方进行加热。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的接合体的制造方法，其中，

在对所述第1被接合部件的所述接合部形成区域施加载荷之际，对所述第1被接合部件及所述第2被接合部件的至少一方施加超声波振动。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的接合体的制造方法，其中，

所述第1被接合部件及所述第2被接合部件是由铜、铝、镍或铁构成的金属、或者是以这些金属中的一种为主成分的合金。

12.一种功率半导体装置的制造方法，其中，

在使用权利要求1～11中任一项所述的接合体的制造方法制造出接合体之后，对所述接合体进行密封来制造功率半导体装置。

13.一种接合体，其中，

在分别由金属构成的第1被接合部件及第2被接合部件的接合部的周围形成有防腐蚀膜。

14.根据权利要求13所述的接合体，其中，

所述防腐蚀膜被直接形成于所述第1被接合部件或所述第2被接合部件中的所述接合部的周围的新生面上。

15.根据权利要求13或14所述的接合体，其中，

在所述接合部的周围，在所述第1被接合部件及所述第2被接合部件的每一个形成有倒角形状，在所述倒角形状的所述第1被接合部件及所述第2被接合部件的表面形成有所述防腐蚀膜。

16.根据权利要求15所述的接合体，其中，

所述防腐蚀膜由二乙基乙醇胺构成。

17.根据权利要求13～16中任一项所述的接合体，其中，

所述接合部的周围处的所述第1被接合部件和所述第2被接合部件之间的间隔为0.5μm以上且100μm以下。

18.根据权利要求13～17中任一项所述的接合体，其中，

所述第1被接合部件及所述第2被接合部件是引线框或汇流条，

所述引线框或汇流条是铜、或者是以铜为主成分的合金、或者是铁、或者是以铁为主成分的合金。

19.一种功率半导体装置，其中，

具有权利要求13～18中任一项所述的接合体。

20.根据权利要求19所述的功率半导体装置，其中，

至少在所述第1被接合部件形成有将所述接合部的周围包围的凹部或凸部。