[发明专利]半导体元件无效
| 申请号： | 201210069986.9 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102694010A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 斋藤涉;小野升太郎;仲敏行;谷内俊治;渡边美穗;山下浩明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
1.一种半导体元件，其中，包括：
第1导电型的第1半导体层；
第1导电型的第2半导体层，设置在上述第1半导体层上，杂质浓度高于上述第1半导体层的杂质浓度；
控制电极，隔着绝缘膜设置在从上述第2半导体层的表面到达上述第1半导体层的第1沟槽内；
含有SixGe1-x或SixGeyC1-x-y的第2导电型的第3半导体层，被设置在从上述第2半导体层的表面到达上述第1半导体层且隔着上述第2半导体层与上述第1沟槽邻接的第2沟槽内；
第1主电极，与上述第1半导体层电连接；以及
第2主电极，与上述第3半导体层连接。
2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
从上述第3半导体层的表面到内部还设置有第3沟槽，在上述第3沟槽内设置有与上述第2主电极连接的接触层。
3.根据权利要求2所述的半导体元件，其中，
上述接触层是上述第2主电极的一部分。
4.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
上述第2半导体层的下表面和上述第3半导体层的下表面包含于同一平面。
5.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
上述第3半导体层的下端位于比上述第2半导体层的下端深的位置。
6.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
上述第3半导体层的下端位于比上述第1沟槽的下端深的位置。
7.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
在上述第1沟槽内，在上述控制电极下还设置有埋入电极，
上述埋入电极与上述第2主电极或上述控制电极电连接。
8.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
在上述第1半导体层内，还设置有与上述第3半导体层连接的第2导电型的第4半导体层。
9.根据权利要求8所述的半导体元件，其中，
在上述第1半导体层中设置有超结结构。
10.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
上述第3半导体层及上述控制电极被设置为，在与上述第2半导体层的表面平行的方向上延伸的条状。
11.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
上述第1半导体层及上述第2半导体层是硅层。
12.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
上述第3半导体层的带隙比上述第2半导体层的带隙窄。
13.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
上述第3半导体层的带隙比上述第1半导体层及上述第2半导体层的带隙窄。
14.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
上述第3半导体层的价带与上述第1半导体层及上述第2半导体层的价带之间不连续。
15.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
上述控制电极控制上述第2半导体层与上述第3半导体层之间产生的带间隧道电流。
16.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，
上述第3半导体层的晶格常数与上述第1半导体层及上述第2半导体层的晶格常数不同。
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