[发明专利]在感测显示元件的状态时的泄漏电流补偿的系统及方法无效
| 申请号: | 201180046549.9 | 申请日: | 2011-09-01 |
| 公开(公告)号: | CN103140885A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
| 发明(设计)人: | 威廉默斯·约翰尼斯·罗伯特斯·范利尔;迪迪埃·亨利·法朗 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
| 主分类号: | G09G3/34 | 分类号: | G09G3/34;G02B26/00;B81C99/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 吴晓辉 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 元件 状态 泄漏 电流 补偿 系统 方法 | ||
相关申请案的交叉参考
本发明主张2010年9月3日申请的标题为“显示器校准(DISPLAY CALIBRATION)”的第61/380,187号美国临时专利申请案的优先权,所述申请案已转让给本发明的受让人。先前申请案的揭示内容应认为是本发明的一部分,且以引用的方式并入本发明中。
技术领域
本发明涉及在测试显示阵列中的显示元件状态时的泄漏电流补偿。
背景技术
机电系统包括具有电及机械元件、激活器、换能器、传感器、光学组件(例如,镜)及电子器件的装置。可按包括(但不限于)微尺度及纳米尺度的多种尺度来制造机电系统。举例来说,微机电系统(MEMS)装置可包括具有范围从约一微米到数百微米或更大的大小的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包括具有小于一微米的大小(包括(例如)小于数百纳米的大小)的结构。可使用沉积、蚀刻、光刻及/或蚀刻掉衬底及/或沉积材料层的部分或者添加层以形成电及机电装置的其它微机械加工工艺来形成机电元件。
一种类型的机电系统装置被称为干涉调制器(IMOD)。如在本文中所使用,术语“干涉调制器”或“干涉光调制器”指使用光干涉的原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在一些实施方案中,干涉调制器可包括一对传导板,所述对传导板中的一者或两者可为整体或部分透明及/或反射性的,且能够在施加适当电信号时相对运动。在一实施方案中,一个板可包括沉积于衬底上的固定层,且另一板可包括与所述固定层分开一气隙的反射膜。一个板相对于另一板的位置可改变入射于干涉调制器上的光的光干涉。干涉调制器装置具有广泛范围的应用,且预期可用于改良现有产品及形成新产品(尤其是具有显示能力的产品)。
发明内容
本发明的系统、方法及装置各自具有若干创新方面,其中无单一方面单独负责本文中揭示的理想性质。
本发明中描述的标的物的一个创新方面可实施于一种在显示阵列中的状态感测测试期间补偿泄漏电流的方法中。所述方法可包括:将待测试的一个或一个以上共用线连接到泄漏补偿电路;在所述泄漏补偿电路中产生补偿电流;及将待测试的所述一个或一个以上共用线及所述泄漏补偿电路两者连接到状态感测电路。所述方法可包括对所述泄漏电流求积分以产生电压。所述方法还可包括将所述电压转换成泄漏补偿电流。
在另一方面中,提供一种用于校准驱动方案电压的设备。所述设备可包括布置成一个或一个以上行的阵列显示元件。所述设备可进一步包括所述阵列中的一个或一个以上线,每一线连接沿着所述一个或一个以上行中的一相应行的显示元件。所述设备可进一步包括:驱动器电路,其连接到所述阵列中的所述一个或一个以上线;显示元件状态感测电路,其耦合到所述阵列中的所述一个或一个以上线;及泄漏补偿电路,其耦合到所述阵列中的所述一个或一个以上线。
在另一方面中,提供一种用于校准显示器的设备,其包括一阵列的显示元件、耦合到所述阵列的显示元件的驱动器电路、用于感测显示元件状态的装置及用于在感测显示元件状态时感测泄漏电流的装置。
此说明书中描述的标的物的一个或一个以上实施方案的细节在随附图式及以下描述中予以阐明。通过描述、图式及权利要求书,其它特征、方面及优势将变得显而易见。注意,下列图的相对尺寸可能未按比例绘制。
附图说明
图1展示描绘在干涉调制器(IMOD)显示装置的一系列像素中的两个邻近像素的等角视图的一实例。
图2展示说明并入有3×3干涉调制器显示器的电子装置的系统框图的一实例。
图3展示说明用于图1的干涉调制器的可移动反射层位置对所施加的电压的图的一实例。
图4展示说明当施加各种共用电压及分段电压时的干涉调制器的各种状态的表的一实例。
图5A展示说明在图2的3×3干涉调制器显示器中的显示数据的帧的图的一实例。
图5B展示可用以写入在图5A中说明的显示数据的帧的共用信号及分段信号的时序图的一实例。
图6A展示图1的干涉调制器显示器的部分横截面的一实例。
图6B到6E展示干涉调制器的变化的实施方案的横截面的实例。
图7展示说明干涉调制器的制造过程的流程图的一实例。
图8A到8E展示制造干涉调制器的方法中的各种阶段的横截面示意性说明的实例。
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