[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

多个存储器单元；

连接上述多个存储器单元的一对第一以及第二局部位线；

一对第一以及第二写入全局位线；

一对第一以及第二读出全局位线；

第一写入晶体管，其具有与被提供电源电压的电源节点连接的源极、与上述第一局部位线连接的漏极、以及与上述第二写入全局位线连接的栅极；

第二写入晶体管，其具有与上述电源节点连接的源极、与上述第二局部位线连接的漏极、以及与上述第一写入全局位线连接的栅极；

第三写入晶体管，其具有与上述第一写入全局位线连接的源极、与上述第一局部位线连接的漏极、以及被提供第一控制信号的栅极；

第四写入晶体管，其具有与上述第二写入全局位线连接的源极、与上述第二局部位线连接的漏极、以及被提供上述第一控制信号的栅极；

预充电电路，其与上述第一以及第二局部位线连接；

写入驱动器，其控制上述第一以及第二写入全局位线；以及

读出电路，其与上述第一以及第二局部位线和上述一对第一以及第二读出全局位线连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述读出电路包括：

控制晶体管，其具有与上述电源节点连接的源极、与电源控制节点连接的漏极、以及被提供上述第一控制信号的栅极；

第一读出晶体管，其具有与上述电源控制节点连接的源极、与上述第一读出全局位线连接的漏极、以及与上述第一局部位线连接的栅极；以及

第二读出晶体管，其具有与上述电源控制节点连接的源极、与上述第二读出全局位线连接的漏极、以及与上述第二局部位线连接的栅极。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述预充电电路，在预充电动作的情况下，对上述第一以及第二局部位线进行预充电，在写入动作以及读出动作的情况下，解除上述第一以及第二局部位线的预充电，

上述第一控制信号是用于进行如下设定的信号：在上述预充电动作以及上述读出动作的情况下，将上述第三以及第四写入晶体管设定为截止状态，并且将上述控制晶体管设定为导通状态，在上述写入动作的情况下，将上述第三以及第四写入晶体管设定为导通状态，并且将上述控制晶体管设定为截止状态，

上述写入驱动器，在上述预充电动作以及上述读出动作的情况下，设定上述第一以及第二写入全局位线的电压电平，以使上述第一以及第二写入晶体管成为截止状态，在上述写入动作的情况下，根据写入数据来设定上述第一以及第二写入全局位线的电压电平，以使上述第一以及第二写入晶体管中的任意一方成为导通状态。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述读出电路包括：

第一读出晶体管，其具有与上述第一写入全局位线连接的源极、与上述第一读出全局位线连接的漏极、以及与上述第一局部位线连接的栅极；以及

第二读出晶体管，其具有与上述第二写入全局位线连接的源极、与上述第二读出全局位线连接的漏极、以及与上述第二局部位线连接的栅极。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述预充电电路，在预充电动作的情况下，对上述第一以及第二局部位线进行预充电，在写入动作以及读出动作的情况下，解除上述第一以及第二局部位线的预充电，

上述第一控制信号是用于进行如下设定的信号：在上述预充电动作以及上述读出动作的情况下，将上述第三以及第四写入晶体管设定为截止状态，在上述写入动作的情况下，将上述第三以及第四写入晶体管设定为导通状态，

上述写入驱动器，在上述预充电动作以及上述读出动作的情况下，设定上述第一以及第二写入全局位线的电压电平，以使上述第一以及第二写入晶体管成为截止状态，在上述写入动作的情况下，根据写入数据来设定上述第一以及第二写入全局位线的电压电平，以使上述第一以及第二写入晶体管中的任意一方成为导通状态。