[实用新型]利用半导体制冷器散热的光伏组件无效
申请号: | 201120186444.0 | 申请日: | 2011-06-03 |
公开(公告)号: | CN202120958U | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 钱腾达;姚鹏;顾锡淼 | 申请(专利权)人: | 优太太阳能科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/048 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200127 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 半导体 制冷 散热 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及光伏组件,尤其是广告信息发布系统,具体地,涉及利用半导体制冷器散热的光伏组件。
背景技术
随着全球经济的高速发展以及工业化生产程度越来越高,人类对能源依赖程度越来越高。但矿物能源的储藏量是有限的,能源问题已经严重制约了全球和区域经济的发展。同时矿物能源的燃烧带来了严重的环境问题。太阳能作为清洁绿色的可再生能源,引起了多国的重视,并投入了大量的人力和物力进行研发。
单个太阳能电池片只能产生大约0.5V电压,其电压远低于实际应用所需求的。为了满足实际应用的需要,利用锡条将太阳能电池片串联形成一个组件。因此通过导线连接若干片太阳能电池后将其密封的物理单元被称为太阳能电池组件,其具有一定的防腐、防风、防雹、防雨等能力。
光伏组件主要由组件边框、太阳能电池板、接线盒以及密封胶组成。组件边框起到封装太阳能电池板的功能,增强太阳能电池板的耐候性和强度,一般选用铝合金边框。核心的部件是太阳能电池板,其由若干片太阳电池单元、钢化玻璃、EvA胶膜、TPT背膜层压形成。在真空和高温加热条件下用层压机将上述部分层压成一个整体形成组件成品。
目前安装的太阳能光伏发电系统中,太阳能电池普遍直接暴露于室外,强烈的太阳光线一方面致热升温,使电池温度升高,导致光伏转换效率降低,影响工作性能。另一方面,也会老化设备,缩短其使用寿命,增加使用成本。因此有必要降低电池温度,从而在一定程度上提高光伏转换效率。
实用新型内容
针对现有技术中的缺陷,本实用新型的目的是提供一种利用半导体制冷器散热的光伏组件。
根据本实用新型的一个方面,提供利用半导体制冷器散热的光伏组件,包括光伏层压件、组件边框,其特征在于,还包括连接所述组件边框的半导体制冷器。
优选地,所述半导体制冷器的冷端位于所述层压件的下方,所述半导体制冷器的热端位于所述组件边框的外部。
优选地,在所述冷端的上方连接有吸热板。
优选地,在所述组件边框与所述冷端之间设置有隔热层。
本实用新型通过半导体制冷器来控制太阳能光伏组件的温度,防止光伏组件过热而影响光伏转换效率,能够广泛应用于各种太阳能光伏发电系统中。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1示出根据本实用新型的第一实施例的,利用半导体制冷器散热的光伏组件。
具体实施方式
图1示出根据本实用新型的第一实施例的,利用半导体制冷器散热的光伏组件。具体地,在本实施例中,利用半导体制冷器散热的光伏组件,包括光伏层压件2、组件边框1,其特征在于,还包括连接所述组件边框的半导体制冷器。其中,所述半导体制冷器包括冷端3、热端5、以及连接在所述冷端3与热端5之间的第一型导体41和第二型导体42。
优选地,所述半导体制冷器的冷端3位于所述层压件2的下方,所述半导体制冷器的热端5位于所述组件边框1的外部。优选地,在所述冷端的上方连接有吸热板。优选地,在所述组件边框与所述冷端之间设置有隔热层。
以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本实用新型并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改,这并不影响本实用新型的实质内容。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于优太太阳能科技(上海)有限公司,未经优太太阳能科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120186444.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:自动连线装置
- 下一篇:一种多层防密封铝合金槽的结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的