[实用新型]电极载具及双面等离子体工艺装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种等离子体工艺装置，特别是涉及一种双面等离子体工艺装置的电极载具结构。

背景技术

在半导体工艺中，干式刻蚀工艺一般为刻蚀，是将刻蚀气体注入真空反应室内，再利用射频源让刻蚀气体产生等离子体，进而对基材进行刻蚀。

以往的刻蚀结构，请参阅图1所示(例如中国台湾发明专利证书号I298357一案所揭露)，是将基材90放置于一电极板91上并且间隔对应于一气体分布电极板92的正下方，刻蚀气体是通过气体分布电极板92的通孔921并在电极板91与气体分布电极板92之间产生等离子体，进而对基材90进行刻蚀。

由于基材90是被放置在电极板91上，因此，通常只能面向气体分布电极板92的单面进行刻蚀。

由此可见，上述现有的等离子体工艺装置在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及装置又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的电极载具及双面等离子体工艺装置，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

有鉴于上述现有的等离子体工艺装置存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的电极载具及双面等离子体工艺装置，能够改进一般现有的等离子体工艺装置，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本实用新型。

发明内容

本实用新型的目的在于，克服现有的等离子体工艺装置存在的缺陷，而提供一种新型结构的电极载具及双面等离子体工艺装置，所要解决的技术问题是在提供一种用以承载基材，使基材可双面同时进行等离子体工艺反应的电极载具以及双面等离子体工艺装置，非常适于实用。

本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本实用新型电极载具提出的用以承载一基材进行双面等离子体工艺反应，其特征在于该电极载具包含：一第一电极座，形成有多数个第一通气孔；一支撑单元，设置于该第一电极座；一第二电极座，设置于该支撑单元并且间隔于该第一电极座，且该第二电极座形成有多数个第二通气孔；以及一治具，设置于该第一电极座介于该第一电极座与该第二电极座之间，用以将该基材支撑于该第一电极座与该第二电极座之间并且分别与该第一、第二电极座相间隔。

本实用新型的目的以及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。

前述的电极载具，其中所述的该第一电极座包括一第一电极板以及一第一气孔板，该第一电极板具有一面向该第二电极座的顶面以及由该顶面凹陷的一第一凹穴，该第一气孔板设置于该第一电极板并且与该第一凹穴配合界定出一第一气体通道，所述第一通气孔设置于该第一气孔板；该第二电极座包括一第二电极板以及一第二气孔板，该第二电极板具有一面向该第一电极座的底面以及由该底面凹陷的一第二凹穴，该第二气孔板设置于该第二电极板并且与该第二凹穴配合界定出一第二气体通道，所述第二通气孔设置于该第二气孔板。

前述的电极载具，其中所述的该治具包括多数个支撑座，每一支撑座包括一设置于该第一电极板的底柱以及一设置于该底柱并且间隔于该第一电极座的盘部，该基材受承托于所述支撑座的盘部上。

前述的电极载具，其中所述的其每一支撑座的盘部凹陷形成有一呈弧形方向延伸的凹陷阶，每一凹陷阶界定出一支撑凸缘，该基材受承托于所述支撑凸缘上。

前述的电极载具，其中所述的该治具包括多数个相间隔设置于该第一电极座的支撑座，每一支撑座包括一直立设置于该第一电极座的支撑柱以及一由该支撑柱侧向延伸出而间隔于该第一电极座的凸片，该基材可供放置于所述支撑座的凸片上而间隔于该第一电极座与该第二电极座之间。

前述的电极载具，其中所述的该支撑单元包括多数个支撑柱。

本实用新型的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本实用新型双面等离子体工艺装置提出的其包含：一第一电极载具，包括一第一电极座，形成有多数个第一通气孔；一支撑单元，设置于该第一电极座；一第二电极座，设置于该支撑单元并且间隔于该第一电极座，且该第二电极座形成有多数个第二通气孔；以及一治具，设置于该第一电极座介于该第一电极座与该第二电极座之间，用以将一基材支撑于该第一电极座与该第二电极座之间并且分别与该第一、第二电极座相间隔；以及一架体，界定出一供该第一电极载具容纳于内的一第一反应室。