[发明专利]切换向平面外的磁性隧道结单元的方法有效
| 申请号: | 201110383019.5 | 申请日: | 2011-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN102467954A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
| 发明(设计)人: | I·金;王小斌;Y·陆;习海文 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16;H01L27/22;H01L43/08 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱孟清 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 切换 平面 磁性 隧道 单元 方法 | ||
1.一种切换向平面外的磁性隧道结单元的铁磁自由层的磁化方向的方法,所述方法包括:
使交流切换电流流经向平面外的磁性隧道结单元,其中所述交流切换电流切换所述铁磁自由层的磁化方向。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述交流切换电流的频率与所述铁磁自由层的旋磁频率相匹配。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述交流切换电流感生绕开所述磁性隧道结单元的磁场。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述磁场在所述铁磁自由层的磁化方向上诱发旋磁驰豫。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述磁性隧道结单元包括铁磁自由层、阻挡层和铁磁基准层,其中所述阻挡层定位在所述铁磁自由层和铁磁基准层之间,并且其中所述交流切换电流从所述铁磁基准层流到所述铁磁自由层。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述磁性隧道结单元包括铁磁自由层、阻挡层和铁磁基准层,其中所述阻挡层定位在所述铁磁自由层和铁磁基准层之间,并且其中所述交流切换电流从所述铁磁自由层流到所述铁磁基准层。
7.如权利要求1所述的方法,还包括:使直流读取电流流经所述磁性隧道结单元,以及感测所述磁性隧道结单元的电阻。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述直流读取电流的振幅比所述交流切换电流的振幅小。
9.一种磁性存储系统,包括:
具有铁磁自由层、阻挡层和铁磁基准层的磁性隧道结单元,其中所述阻挡层定位在所述铁磁基准层和铁磁自由层之间,并且所述铁磁自由层和铁磁基准层的磁化方向是向平面外的;以及
电连接到所述磁性隧道结单元的交流电源。
10.如权利要求9所述的磁性存储系统,其特征在于,所述铁磁自由层和铁磁基准层的磁化方向是至少基本垂直的。
11.如权利要求9所述的磁性存储系统,其特征在于,所述铁磁自由层和铁磁基准层的磁化方向是垂直的。
12.如权利要求9所述的磁性存储系统,其特征在于,还包括构成阵列的多个磁性隧道结单元。
13.如权利要求9所述的磁性存储系统,其特征在于,还包括电连接到所述磁性隧道结单元的直流电源。
14.如权利要求9所述的磁性存储系统,还包括:构成阵列的多个磁性隧道结单元,其中所述多个磁性隧道结单元中的每一个电连接到所述交流电源;以及直流电源,其中所述多个磁性隧道结单元中的每一个电连接到所述直流电源。
15.一种电存储数据的方法,包括:
设置向平面外的磁性隧道结存储器单元,所述向平面外的磁性隧道结存储器单元包括铁磁自由层、阻挡层和铁磁基准层,其中所述阻挡层定位在所述铁磁基准层和铁磁自由层之间,并且所述铁磁自由层和铁磁基准层的磁化方向是向平面外的;以及
使交流切换电流流经所述向平面外的磁性隧道结单元,其中所述交流切换电流切换所述铁磁自由层的磁化方向,由此存储数据位。
16.如权利要求15所述的方法,其特征在于,所述交流切换电流的频率与所述铁磁自由层的旋磁频率相匹配。
17.如权利要求16所述的方法,其特征在于,所述交流切换电流感生绕开所述磁性隧道结单元的磁场。
18.如权利要求15所述的方法,其特征在于,所述交流切换电流从所述铁磁基准层流到所述铁磁自由层或从所述铁磁自由层流到所述铁磁基准层。
19.如权利要求15所述的方法,其特征在于,还包括:使直流读取电流流经所述磁性隧道结单元,以及感测所述磁性隧道结单元的电阻。
20.如权利要求15所述的方法,其特征在于,还包括:
使直流读取电流流经所述磁性隧道结单元,并且感测所述磁性隧道结单元的电阻;以及
使第二交流切换电流流经所述磁性隧道结单元以对所述铁磁自由层的磁化方向进行第二次切换。
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