[发明专利]一种用于原子层沉积设备的进气方法无效
| 申请号： | 201110339697.1 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102392228A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 饶志鹏;夏洋;陈波;李超波;万军;赵珂杰;黄成强;陶晓俊;李勇滔;刘键;石莎莉;江莹冰 | 申请（专利权）人： | 嘉兴科民电子设备技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴市南湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 原子 沉积 设备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于原子层沉积设备的进气方法，其特征在于，所述进气方法包括：将两种或两种以上前驱体源分别通过载气运输和/或载气吹扫的方式输送到原子层沉积反应腔中。
2.如权利要求1所述的用于原子层沉积设备的进气方法，其特征在于，所述载气是串行逐次与各前驱体接触的。
3.如权利要求1所述的用于原子层沉积设备的进气方法，其特征在于，所述载气运输的源为一路，所述载气吹扫的源为多路。
4.如权利要求1所述的用于原子层沉积设备的进气方法，其特征在于，所述载气运输用来输送难挥发的物质，所述载气吹扫用来输送易挥发的物质。
5.如权利要求1所述的用于原子层沉积设备的进气方法，其特征在于，所述载气为氩气或氦气。
6.如权利要求1所述的用于原子层沉积设备的进气方法，其特征在于，所述载气的流量为1sccm-200sccm。
7.如权利要求1所述的用于原子层沉积设备的进气方法，其特征在于，所述进气方法使用的管壁的温度低于原子层沉积反应腔室温度1℃-99℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴科民电子设备技术有限公司，未经嘉兴科民电子设备技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110339697.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制备包含乙烯/α-烯烃嵌段互聚物的泡沫制品的飞龙法
- 下一篇：马达驱动电路
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
