[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、以及具备该薄膜晶体管的装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管在基板上具有活性层、源电极、漏电极、栅绝缘膜和栅电极，

所述活性层包含：在所述栅电极侧夹隔着所述栅绝缘膜配置的、具有第一电子亲和力的第一区域；和在远离所述栅电极的一侧配置的、具有比所述第一电子亲和力小的第二电子亲和力的第二区域，

在所述活性层的膜厚方向，构成以所述第一区域作为阱层、以所述第二区域和所述栅绝缘膜作为势垒层的阱型势，

所述活性层是由a(In₂O₃)·b(Ga₂O₃)·c(ZnO)构成的氧化物半导体层，其中，a、b、c分别是a≥0，b≥0，c≥0，并且a+b≠0，b+c≠0，c+a≠0，

所述第二区域的b/(a+b)大于所述第一区域的b/(a+b)。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一区域的电子亲和力与所述第二区域的电子亲和力的差为0.17eV以上、1.3eV以下。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一区域的电子亲和力与所述第二区域的电子亲和力的差为0.32eV以上、1.3eV以下。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层为非晶体。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述氧化物半导体层中，所述第一区域的b/(a+b)小于0.5。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述氧化物半导体层中，所述第一区域的b/(a+b)小于0.4，并且所述第二区域的b/(a+b)为0.6以上。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述氧化物半导体层中，所述第一区域的氧浓度大于所述第二区域的氧浓度。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基板是具有挠曲性的基板。

9.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，是在基板上具有活性层、源电极、漏电极、栅绝缘膜和栅电极的薄膜晶体管的制造方法，

包括如下的成膜工序，即，以使所述活性层包含在所述栅电极侧夹隔着所述栅绝缘膜配置的、具有第一电子亲和力的第一区域，和在远离所述栅电极的一侧配置的、具有比所述第一电子亲和力小的第二电子亲和力的第二区域，并且在该活性层的膜厚方向，构成以所述第一区域作为阱层、以所述第二区域和所述栅绝缘膜作为势垒层的阱型势的方式，利用溅射法形成由a(In₂O₃)·b(Ga₂O₃)·c(ZnO)构成的氧化物半导体层作为所述活性层，其中，a、b、c分别是a≥0，b≥0，c≥0，并且a+b≠0，b+c≠0，c+a≠0，

在该成膜工序中，在将成膜室内设为第一氧分压/氩分压而形成所述第一区域，在将所述成膜室内设为第二氧分压/氩分压而形成达到比第一区域的b/(a+b)大的b/(a+b)的组成比的所述第二区域。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，使所述第二氧分压/氩分压小于所述第一氧分压/氩分压。