[发明专利]液晶显示装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110240722.0 申请日: 2011-08-22
公开(公告)号: CN102436091A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 武田新太郎;荒谷康太郎;富冈安;松森正树;三上佳朗 申请(专利权)人: 株式会社日立显示器;松下液晶显示器株式会社
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1334;G02F1/1333
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张靖琳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置是具有在一对基板之间设置液晶层的液晶显示面板的显示装置,例如作为液晶电视、面向个人计算机的液晶显示器、便携式电话终端的液晶显示器等而广泛地得以使用。

这种液晶显示装置是液晶显示面板的显示区域为多个像素的集合,通过该多个像素(点)来显示文字、数字、图形、图画等图像及影像的显示装置。这种显示方法一般被称之为点阵(dot matrix)方式。

点阵方式根据像素的驱动方式的不同被分类成单纯矩阵型(有时候也称之为无源矩阵型)和有源矩阵型。单纯矩阵型是对形成在各基板上的像素形成用的电极有选择性地施加电压来驱动规定的像素的型式。而有源矩阵型则是在一方基板上形成像素选择用的有源元件(有时候也称之为开关元件),通过此有源元件的开/关来驱动规定的像素的型式。特别是,后者的有源矩阵型因具备对比度性能及高速显示性能等表现出色的性能,因此成为液晶显示装置中的像素驱动方式的主流。

另外,作为这种液晶显示装置的液晶层的动作模式,有例如TN(Twisted Nematic)模式、STN(Super Twisted Nematic)模式、VA(Vertical Alignment)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence)模式、IPS(In-Plane Switching)模式以及FFS(Fringe Field Switching)模式等。

特别是,在液晶电视等大型液晶显示装置中,均要求高对比度、高视野角性,针对这种情况,人们开发了IPS模式以及FFS模式等。这些需求,在便携式电话等小型液晶显示装置中也被提出了要求,使得IPS模式以及FFS模式的产品拓展不断加速。

另外,在近些年的便携式电话终端及汽车导航系统中,例如许多都搭载播放电视节目的视听及活动图像的功能,在这些便携式电子设备上所用的小型液晶显示装置中,也为了长时间使用作为新的需要而要求省电化。

此外,在日本专利公开特开2001-209036号公报中记载有如下液晶装置:具有具备多个像素开关元件以及多个像素电极的第一基板,和形成了对置电极的第二基板,在该第一基板和该第二基板之间在相邻接像素的边界部分形成有聚合体网格。

然而,在IPS模式以及FFS模式的液晶显示装置中为了达到省电化就需要提高像素的透射率。为了使像素的透射率提高,例如加大像素电极其自身的尺寸是有效的。但是,若加大像素电极的尺寸,则邻接的像素之中一方像素的液晶配向也会对另一方像素的液晶配向带来影响,所以在加大该像素电极的尺寸上就有界限。

另外,作为使像素的透射率提高的另一方法还有向错(disclination)抑制。但是,实际情况却是尚无可充分地避免向错的方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有较高透射率的液晶显示装置及其制造方法。本发明的新颖特征通过本说明书的记述以及附图而明显。

本发明中的液晶显示装置具有第一基板、第二基板和被封入到上述第一基板和上述第二基板之间的液晶层,并设置了具有一方为像素电极的第一电极以及第二电极的多个像素,所述液晶显示装置的特征在于:像素分别被设置于由信号线包围的区域内,并在相邻的上述像素之间形成上述信号线的一部分,在上述液晶层内形成有两个高分子构造物,在上述两个高分子构造物之间配备液晶层,在俯视状态下,上述两个高分子构造物夹着上述信号线的一部分,在俯视状态下,上述两个高分子构造物分别沿上述信号线的一部分延伸,上述两个高分子构造物分别从上述第一基板以及上述第二基板中的一方基板朝向另一方基板而形成,上述两个高分子构造物分别以重叠于某一上述区域的方式而被配备。

另外,本发明中的液晶显示装置还可以是在上述第一基板以及上述第二基板之中,在一方基板上形成有上述第一电极以及第二电极。另外,还可以是在上述第一基板以及第二基板之中,在一方基板上形成有滤色器。另外,还可以是在上述第一基板以及第二基板之中,在一方基板上形成有黑色矩阵。另外,还可以是上述高分子构造物在俯视状态下形成在与黑色矩阵相重叠的区域中。另外,还可以是上述高分子构造物在俯视状态下形成在扫描信号线以及影像信号线的一方或者两方与黑色矩阵重叠的区域以外的位置上。另外,还可以是在切断上述高分子构造物短边的截面中,上述高分子构造物的宽度WP、上述黑色矩阵的宽度WB和上述影像信号线的宽度WS或者上述扫描信号线的宽度WG满足下面式(1)的条件。

WP≤(WB-WS)、或者WP≤(WB-WG)      …式(1)

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