[发明专利]一种肖特基芯片的生产工艺及生产工艺所用腐蚀液有效
| 申请号： | 201110189705.9 | 申请日： | 2011-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102222615A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王兴龙;邹红兵 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟实业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/306 |
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| 地址： | 405200 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 芯片 生产工艺 所用 腐蚀 | ||
1.一种肖特基芯片的生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：
（1）提供一原始外延硅片；
（2）对原始外延硅片进行氧化，形成氧化层；
（3）一次光刻；
（4）P环扩散；
（5）二次光刻沟槽；
（6）一次腐蚀；
（7）三次光刻，去除沟间隔的氧化层；
（8）二次腐蚀；
（9）正面溅射金属Pt、Ni；
（10）蒸发正面接触金属Ti、Ni、Ag；
（11）光刻金属；
（12）背面减薄；
（13）蒸发背面接触金属Ti、Ni、Ag，得成品。
2.根据权利要求1所述的肖特基芯片的生产工艺，其特征在于：所述步骤（1）中原始外延硅片的外延层厚度为5—10微米；所述步骤（2）中氧化层的厚度为5000埃；所述步骤（3）中一次光刻宽度为20微米；所述步骤（4）中P环扩散深度为1.2微米，宽度为20微米；所述步骤（5）中二次光刻沟槽宽度为5微米；所述步骤（6）中一次腐蚀深度为0.9—1.2微米；所述步骤（8）中二次腐蚀深度为0.2微米；所述步骤（12）中背面减薄到280±10微米。
3.根据权利要求1所述的肖特基芯片的生产工艺，其特征在于：所述步骤（9）中环境温度为450℃，氮气与氢气的质量百分比分别为90%与10%。
4.一种如权利要求1所述的肖特基芯片的生产工艺所用腐蚀液，其特征在于：其组份为：HF、HAC、H2O2、HNO3。
5.根据权利要求4所述的腐蚀液，其特征在于：所述各组份的质量配比为：HF:HAC: H2O2:HNO3=1:1:2:20。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
