[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

衬底上的薄膜晶体管；

所述薄膜晶体管上的氢化膜，其中所述氢化膜具有开口；

所述氢化膜上的电极，该电极通过所述氢化膜的接触孔与所述薄膜晶体管的源极和漏极之一电接触；

形成在所述电极和所述氢化膜上的层间绝缘膜，其中该层间绝缘膜覆盖所述氢化膜的开口；

形成在所述层间绝缘膜上的像素电极，该像素电极通过所述层间绝缘膜的接触孔与所述电极电接触；

覆盖所述像素电极的外围部分的堤，其中所述像素电极的未被所述堤覆盖的部分与所述氢化膜的开口重叠；和

所述像素电极上的发光层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述开口被形成为穿过所述薄膜晶体管的栅绝缘膜的一部分。

3.根据权利要求2所述的发光器件，还包括所述衬底和所述薄膜晶体管之间的基底绝缘膜，其中所述层间绝缘膜与所述基底绝缘膜在所述开口中相接触。

4.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中所述薄膜晶体管是顶栅型。

5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中所述薄膜晶体管是底栅极型。

6.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中所述氢化膜包括氮化硅。

7.一种发光器件，包括：

薄膜晶体管，包括绝缘表面上的栅绝缘膜，其中所述栅绝缘膜具有用于暴露所述绝缘表面的一部分的开口；

所述薄膜晶体管上的氢化膜，其中所述氢化膜覆盖所述栅绝缘膜的开口；

所述氢化膜上的层间绝缘膜；

形成在所述层间绝缘膜上的像素电极，该像素电极通过所述层间绝缘膜的接触孔与所述薄膜晶体管的源极和漏极之一电接触；

覆盖所述像素电极的外围部分的堤，其中所述像素电极的未被所述堤覆盖的部分与所述栅绝缘膜的开口重叠；和

所述像素电极上的发光层。

8.根据权利要求7所述的发光器件，还包括所述绝缘表面和所述薄膜晶体管之间的基底绝缘膜，其中所述氢化膜与所述基底绝缘膜在所述开口中相接触。

9.根据权利要求7或8所述的发光器件，其中所述薄膜晶体管是顶栅型。

10.根据权利要求7或8所述的发光器件，其中所述薄膜晶体管是底栅极型。

11.根据权利要求7或8所述的发光器件，其中所述氢化膜包括氮化硅。