[发明专利]存储器阵列装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器阵列装置，包含：

一存储器阵列包含一第一分部以及一第二分部，该第一分部包括多个第一存储单元，该第二分部包括多个第二存储单元，其中每一存储单元包括一第一电极、一第二电极以及位于该第一电极与该第二电极之间的一存储材料；

一第一电路，电连接于该存储器阵列，用以使该第一分部操作于一双极操作模式；以及

一第二电路，电连接于该存储器阵列，用以使该第二分部操作于一单极操作模式。

2.如权利要求1所述的装置，其中：

该第一分部用于存储一第一数据，该第一数据包含多个关键码，这些关键码是特定数据、多个直接可执行程序代码、具有多个自我解压缩码的多个压缩程序代码、或其任意组合。

3.如权利要求2所述的装置，其中：

在该存储器阵列装置接通电源后的初始阶段中，这些压缩程序代码从该第一分部被解压缩到该第二分部以用于后续的直接执行；及

当这些压缩程序代码被解压缩到该第二分部时，所解压缩的程序代码被验证。

4.如权利要求1所述的装置，其中：

该第一电路施加一第一偏压操作于该第一分部，该第二电路施加一第二偏压操作于该第二分部，以在该第一分部及该第二分部之间进行一数据的存取。

5.如权利要求1所述的装置，其中：

该第一存储单元在该双极操作模式下，当该第一存储单元的该存储材料形成一电绝缘层时，该第一存储单元的该存储材料为高电阻状态，当该电绝缘层至少一部分再合并至该存储材料时，该第一存储单元的该存储材料为低电阻状态；以及

该第二存储单元在该单极操作模式下，当该第二存储单元的该存储材料形成非晶相时，该第二存储单元的该存储材料为高电阻状态，当该存储材料形成结晶相时，该第二存储单元的该存储材料为低电阻状态。

6.如权利要求1所述的装置，其中：

该第一分部包含多个第一源极线，其各自连接于对应该多个第一存储单元的晶体管，该多个第一源极线各自分离；以及

该第二分部包含多个第二源极线，其各自连接于对应该多个第二存储单元的晶体管，该多个第二源极线可互相连接。

7.一种存储器阵列装置的操作方法，该存储器阵列装置包含一第一分部及一第二分部，该第一分部包含多个第一存储单元，该第二分部包含多个第二存储单元，该方法包含下列步骤：

施加一双极操作模式于该第一分部，以编程或擦除该多个第一存储单元；以及

施加一单极操作模式于该第二分部，以编程或擦除该多个第二存储单元。

8.如权利要求7所述的方法，还包括下列步骤：

在一第一时段内施加一第一偏压操作于该第一分部，使该多个第一存储单元中的电绝缘物质与该多个第一存储单元中的存储材料分离；

在一第二时段内施加一第二偏压操作于该第一分部，使该多个第一存储单元中的电绝缘物质的至少一部分合并至该多个第一存储单元的存储材料中；

在一第三时段内施加一第三偏压操作于该第二分部，使该多个第二存储单元中的存储材料形成非晶相的高电阻状态；以及

在一第四时段内施加一第四偏压操作于该第二分部，使该多个第二存储单元中的存储材料形成结晶相的低电阻状态。

9.如权利要求8所述的方法，其中该第一分部包含一第一晶体管、一第一位线、一第一字线、以及一第一源极线，该方法还包括下列步骤：

施加该第一偏压操作于该第一分部，所述施加该第一偏压操作包括：施加一第一电压于该第一位线、施加一第二电压于该第一字线、施加该第一电压于该第一晶体管的基底、以及施加一第三电压于该第一源极线；以及

施加该第二偏压操作于该第一分部，所述施加该第二偏压操作包括：施加该第三电压于该第一位线、施加一第四电压于该第一字线、施加该第一电压于该第一晶体管的基底、以及施加该第一电压于该第一源极线。

10.如权利要求8所述的方法，其中该第二分部还包括一第二晶体管、一第二位线、一第二字线、一第二源极线、以及其它源极线，该方法还包括下列步骤：

施加该第三偏压操作于该第二分部，所述施加该第三偏压操作包括：施加一第一电压于该第二位线、施加一第二电压于该第二字线、施加一第三电压于该第二晶体管的基底、以及施加该第三电压于该第二源极线；以及

施加该第四偏压操作于该第二分部，所述施加该第四偏压操作包括：施加该第一电压于该第二位线、施加一第四电压于该第二字线、施加该第三电压于该第二晶体管的基底、以及施加该第三电压于该第二源极线。